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ICS31.260
CCSF12
团体标准
T/CPIA0113—2025
晶体硅光伏电池高温反向耐压测试方法
Thetestmethodofthereversevoltageforcrystallinesilicon
photovoltaiccellsunderhightemperature
2025-03-15发布2025-03-30实施
中国光伏行业协会 发布
T/CPIA0113—2025
目次
前言III
引言III
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义1
4试验条件1
5仪器设备1
6样品准备1
7试验方法2
7.1室温条件下测试反向漏电流2
7.2高温条件下测试反向漏电流2
7.3电池片反向电压初定值2
8试验数据处理2
9试验报告3
附录A（资料性）测试记录表4
附录B（资料性）反向漏电流与温度关系曲线示意图5
I
T/CPIA0113—2025
晶体硅光伏电池高温反向耐压测试方法
1范围
本文件规定了晶体硅光伏电池高温反向击穿的测试流程与方法，包括仪器设备、样品准备、试验方法、
试验数据处理，试验报告等，评估电池片热斑击穿风险。
本文件适用于晶体硅光伏电池高温条件下的反向击穿电压测试及热斑击穿风险评估。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文
件。
IEC61730-2:2023光伏组件安全鉴定第2部分：试验要求（Photovoltaic(PV)modulesafety
qualification—Part2:Requirementsfortesting）
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
高温反向漏电特性hightemperaturereverseleakagecharacteristics
电池片在承受反向电压时，反向漏电流曲线与温度相关性的特征关系。
注：晶体硅光伏电池反向漏电流随温度升高而降低，温度升高会减小晶硅太阳能电池被击穿风险；反之晶硅电池呈现
反向漏电流随温度升高而升高，会增加晶硅太阳能电池的击穿风险。
4试验条件
电池片在室温和高温（135℃）条件下，需分别测试其反向耐压性能，施加反向电压范围为-12V～-19
V。
5仪器设备
反向耐压击穿试验的设备要求如下：
a)样品加热台：加热温度范围为0℃～200℃可调，测温精度±2℃；
b)直流稳压源：直流电压最小精度0.1V，电流测量最小精度0.1A，稳压源应具备限流功能，防止
电流过大，产生安全风险；
c)红外测温仪：应符合IEC61730-2:2023中的10.20.2a的相关要求。
6样品准备
对待测电池片正、负极主栅分别进行焊接，并将正、负极的汇流条进行焊接处理，如图1所示。
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T/CPIA0113—2025
标引序号说明
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