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放大電路基礎

6.1半導體三極管一基本結構BECNNP基極發射極集電極NPN型集電區：面積較大基區：較薄，摻雜濃度低發射區：摻雜濃度較高

6.1半導體三極管一基本結構BECNNP基極發射極集電極NPN型發射結集電結

6.1半導體三極管一基本結構BECNNP基極發射極集電極NPN型PNP集電極基極發射極BCEPNP型

6.1半導體三極管二電路放大原理BECNNPEBRBIENIEPIEIE=IEN+IEP?IEN

6.1半導體三極管二電路放大原理BECNNPEBRBIEIE=IEN+IEP?IENIBNECRCICNICBOICIC=ICN+ICBO?ICNIBIB=IBN-ICBO?IBN

6.1半導體三極管二電路放大原理BECNNPEBRBIEIE=IEN+IEP?IENECRCICIC=ICN+ICBO?ICNIBIB=IBN-ICBO?IBNEC電流放大倍數什麼決定放大能力？

6.1半導體三極管二電路放大原理BECIBIEICNPN型三極管BECIBIEICPNP型三極管要使三極管能放大電流，必須使發射結正偏，集電結反偏。

6.1半導體三極管三特性曲線表示三極管各極間電壓和電流之間的關係曲線。ICBUCEUBEIBECRBEBCE輸入特性IB(?A)UBE(V)204060800.40.8UCE=0VUCE=0.5VUCE?1V

6.1半導體三極管三特性曲線輸出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A當UCE大於一定的數值時，IC只與IB有關，IC=?IB。此區域滿足IC=?IB稱為線性區（放大區）。

6.1半導體三極管三特性曲線輸出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此區域中UCE?UBE,集電結正偏，?IBIC，UCE?0.3V稱為飽和區。

6.1半導體三極管三特性曲線輸出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此區域中:IB=0,IC=ICEO,UBE死區電壓，稱為截止區。

6.1半導體三極管三特性曲線輸出特性放大區：發射結正偏，集電結反偏。即：IC=?IB,且?IC=??IB(2)飽和區：發射結正偏，集電結正偏。即：UCE?UBE，?IBIC，UCE?0.3V(3)截止區：UBE死區電壓，IB=0，IC=ICEO?0

6.1半導體三極管例：?=50，USC=12V，RB=70k?，RC=6k?當USB=-2V，2V，5V時，電晶體工作於哪個區？當USB=-2V時：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIB=0，IC=0工作在截止區截止截止

6.1半導體三極管例：?=50，USC=12V，RB=70k?，RC=6k?當USB=-2V，2V，5V時，電晶體工作於哪個區？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBE導通ICICmax(=2mA)，工作於放大區。當USB=2V時：IC最大飽和電流：

6.1半導體三極管例：?=50，USC=12V，RB=70k?，RC=6k?當USB=-2V，2V，5V時，電晶體工作於哪個區？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBE導通ICICmax(=2mA)，工作於飽和區。當USB=5V時：IC最大飽和電流：

6.1半導體三極管四溫度對特性曲線的影響ICBUCEUBEIBECRBEBCEiBuBE25oC50oC溫度上升時，輸入特性曲線左移。T

6.1半導體三極管四溫度對特性曲線的影響ICBUCEUBEIBECRBEBCE溫度上升時，輸出特性曲線上移。TiCuCE?、ICEO

6.1半導體三極管五微變等效電路(1)輸入回路iBuBE當信號很小時，將輸入特性在小範圍內近似線性。?uBE?iB對輸入的小交流信號而言，三極管相當於電阻rbe。rbe的量級從幾百歐到幾千歐。對於小功率三極管：

6.1半導體三極管五微變等效電路ICBUCEUBEIBECRBEBCErbeibube+-(1)輸入回路

6.1半導體三極管五微變等效電路(1)輸出回路iCuCE(a)輸出端相當於一個受ib控制的電流源。(b)考慮uCE對iC的影響，輸出端還要並聯一個大電阻rce。近似平行?iC?uCE

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