微电子器件考研资料 模拟题（一）.docVIP

832微电子器件模拟题（一）

填空题

麦克斯韦方程组是描述电磁现象的普遍规律的基本方程，其中泊松方程表明，空间任意点的电位移矢量的散度正比于该点的（）。

在对PN结的平衡状态进行研究时，采用了耗尽近似与中性近似。耗尽近似假设空间电荷区内的（）已完全扩散掉，（）构成空间电荷区内电荷的唯一来源。而在有些情况下，耗尽近似不再适用，当一个NPN-N+结构的晶体管的集电极电流很大时，由于耗尽近似不再适用，将发生（）效应。

一个P+N结，当ND增大时，内建电势将（），势垒区宽度将（），雪崩击穿电压将（），扩散电容将（）。

正向电压下，PN结中存在着三种电流，分别是（）、（）、（）。电压较大时，以（）为主；电流较小时，以（）为主。

所谓大注入条件，是指注入某区边界附近的（）浓度远大于该区的（）浓度。PN结在发生大注入时，会形成内建电场，若某PN+结发生了大注入，形成的内建电场方向是（）。

引起PN结反向击穿的机理主要有（）、（）和（），其中击穿电压和温度正相关的是（）。

双极结型晶体管在集成电路中有着广泛的运用，模拟电路中的晶体管主要工作在（）区，此时发射结（），集电结（）。

电流放大系数是双极型晶体管的重要直流参数之一，其中共基极直流短路电流放大系数是发射结（）、集电结（）时，（）电流与（）电流之比。为了提高，可以（）基区宽度，（）发射区掺杂浓度。

BJT的反向特性中，共基极集电结雪崩击穿电压是指发射极（）时，使（）的（）反向电压。一般情况下，（）共发射极集电结雪崩击穿电压。（最后一空选填“”、“”、“”）

某半导体材料如图所示，当电流沿方向流动时，

电阻为1，当电流沿方向流动时，电阻为

（）。

在研究BJT的高频特性时，把下降为1时对应

的频率称为晶体管的（），增大基区宽度将使得这一参数（）。

MOSFET的阈值电压受诸多因素的影响，通常情况下，栅氧越薄，阈值电压的绝对值（），在工艺中，通常采用（）的方法来对阈值电压进行调整。

理想情况下，MOSFET在饱和区的漏源电导为（）；但在实际情况中，由于（）和（），往往不为上述值。

随着器件尺寸的缩小，MOSFET存在一系列的短沟道效应。其中，阈电压的窄沟道效应是指阈值电压随沟道宽度的减小而（），采用（）工艺能有效缓解该问题。

热电子效应对器件的性能有着重要影响，一个NMOS发生了热电子效应时，阈值电压将（），跨导将（）。

简答与作图

写出P+N结反向饱和电流密度的表达式，并对影响的几个主要因素进行简要讨论。

双极结型晶体管在结构上与两个背靠背的PN结类似，那么在实际应用中，能否用两个PN结二极管代替晶体管？简要说明原因。

试画出包括击穿特性在内的共发射极输出特性曲线，并对曲线作简单叙述。

画出一个N型MOSFET的基本结构示意图，并简要描述MOSFET的工作原理。

什么是MOSFET的衬底偏置效应？并对其原理进行解释。

计算题

可能用到的参数：，，Si的相对介电常数11.9，

SiO2的相对介电常数3.9，电子电荷量（若要用

到更多，请自己翻书）

某硅突变PN结，掺杂浓度，。电子和空穴的扩散系数为，，电子和空穴的寿命均为1。室温下，计算：

（1）外加0.5V反向电压时的电流密度；

（2）外加0.7V正向电压时的电流密度。

某NPN硅晶体管发射区、基区和集电区的杂质浓度分别为、

、，基区宽度为0.5。若雪崩击穿临界电场，求使发射极偏置对集电极电流失去控制的基极-集电极电压上限。

为了得到某长沟道N型MOSFET的电学参数，进行了一组测试。测试过程中将栅漏短接，源和衬底接地，测得几组漏极电流和电压的数据如表所示。试计算：

（V）（A）

（V）

（A）

0

0

0.5

0.55

1

1