铟镓锌氧垂直沟道结构薄膜晶体管：制备工艺、性能优化与应用前景.docx

铟镓锌氧垂直沟道结构薄膜晶体管：制备工艺、性能优化与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，电子设备正朝着高性能、低功耗、高分辨率和高集成度的方向不断演进，这对电子器件的性能提出了更为严苛的要求。薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT）作为构建现代电子系统的关键基础元件，在显示技术、传感器、集成电路等众多领域发挥着举足轻重的作用。从诞生至今，薄膜晶体管技术经历了漫长的发展历程，取得了显著的进步，为现代电子产业的繁荣奠定了坚实基础。

早期的薄膜晶体管技术以非晶硅（a-Si）为代表，非晶硅薄膜晶体管具有制备工艺简单、成本低廉的优势，在液晶显示（LC