《高纯铜合金铸锭》编制说明.docx

高纯铜合金铸锭

标准编制说明

一、目的和意义

集成电路产业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。集成电路产业的技术水平和产业规模已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志，因而受到全球各国的高度重视，同时也是当今发达国家技术封锁的重中之重。我国政府高度重视电子制造业新材料产业的发展，《中国制造2025》《新材料产业发展纲要》《有色金属工业发展规划2016-2020》等规划纲要中都明确了发展高纯金属及溅射靶材是国家的重点研发方向。《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》提出了要聚焦新一代信息技术、生物技术、新能源、新材料等战略性新兴产业。在国家十四五规划和工信部、科技部、自然资源部联合印发《“十四五”原材料工业发展规划》中将超高纯金属和靶材作为新一代信息技术产业发展的关键材料而予以支持。

传统的6-8英寸集成电路工艺主要采用铝作为金属互连材料，但是随着器件特征尺寸的减少以及硅片载体规格的增加和集成度的提高，在90nm以后，铝布线出现了电迁移严重、电阻率高等缺陷，这些缺陷严重的会导致电路板失效。高纯铜及铜合金靶材是90nm及以下制程集成电路互联用关键支撑材料。纯铜具有低的电阻率和更高的导热性，且具有比Al高两个数量级的抗电迁移能力。将铜作为优良的互连材料不仅可以降低延迟，提高运算效率，而且还可以保证集成电路的可靠性。合金化作为一种常用的改善材料性能的方法，提高膜基界面结合和薄膜可靠性的方法，从而达到取消扩散阻挡层的目的。目前，国内外对各种铜合金材料进行了研究，铜合

金化发展前景巨大，特别是CuMn和CuAl合金靶材已实现批量化的工程应用。

目前，生产企业不断提高高纯铜及铜合金靶材的纯度，以满足集成电路制造对材料纯度的严格要求。以有研亿金新材料有限公司为代表的国内企业已经能够生产出99.9999%级的超高纯铜及其合金靶材，产品性能达到国际先进水平，改变了该项产品长期被国外垄断的被动局面。随着集成电路等电子行业对材料纯度的要求不断提高，未来高纯铜及铜合金铸锭的纯度将不断向更高的级别发展，比如从目前常见的99.999%向99.9999%甚至更高纯度迈进，更高的纯度可以减少杂质对电子器件性能的影响，提高产品的可靠性和稳定性；在提高纯度的同时，铸锭的质量稳定性也将是发展的重点。这包括严格控制铸锭的成分均匀性、微观结构的一致性以及减少内部缺陷等，以确保每一批次的铸锭都能满足高端应用的严格要求；随着大型装备制造和大型结构件的需求增加，大尺寸的高纯铜及铜合金铸锭将成为发展趋势。大尺寸铸锭可以减少加工环节，提高生产效率，降低成本，并且能够满足大型构件对材料整体性和一致性的要求。

目前全世界半导体行业用高纯金属溅射靶材及其原材料的生产主要集中在美国、德国及日本，美国材料协会标准、日本电子协会标准、欧盟标准中均没有针对高纯铜合金铸锭的相关标准，因此高纯铜合金铸锭产品标准的制定对于高纯铜合金溅射靶材产品的品质提升以及快速国产化起到积极作用。

现行的关于半导体用高纯铜合金原材料、铸锭和靶材的相关标准有：

（1）高纯铜，GB/T26017-2020，规定了高纯铜产品的要求、试验方法、检验规则、标准、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容，适用于溅射靶材及离子镀膜加工产品用高纯电解铜。

（2）高纯铜铸锭，YS/T919-2013，规定了高纯铜铸锭的产品要求、制造条件、试验方法、检验规则、标准、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）

内容，适用于制造半导体通过靶材所需的高纯铜铸锭。

（3）集成电路用高纯铜合金靶材，GB/T39159-2020，规定了集成电路用高纯铜合金靶材的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标准、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容，适用于集成电路制造用的高纯铜铝和铜锰合金靶材。

高纯铜合金靶材的关键制备流程为：高纯电解铜→高纯铜/铜合金铸锭→高纯铜/铜合金靶材，上述标准分别对应三个关键过程，相互之间有较强的逻辑关系，但目前上述标准还存在问题，高纯CuP合金铸锭、高纯CuAl合金铸锭、高纯CuMn合金铸锭的相关标准缺失，建议立项团体标准。如此，可提升高纯铜合金靶材制备全产业链条相关标准的逻辑性和完整性，更好的指导行业发展。

二、工作简况

2.1任务来源

根据《深化标准化工作改革方案》（国办[2017]27号）、《团体标准管理规定》（国标委联[2019]1号）、《山东省新材料产业协会团体标准管理办法》的有关规定，《高纯铜合金铸锭》团体标准由有研亿