集成运算放大电路简介.pptxVIP

典型的集成运放4.3集成运放电路简介双极型集成运放F007、F324单极型集成运放C14573一、引脚4.3.1双极型集成运放F007(a)引脚b)连接示意图

二、电路原理图图4.3.1F007电路原理图

1.偏置电路+VCCT8-VEET9T12T13T10T11R4R5I8I3,4IC9IC10IREFIC13至输入级至中间级和输出级基准电流：基准电流产生各放大级所需的偏置电流。各路偏置电流的关系：IREFIC11IC10IB3,IB4IC9IC8IC12IC13微电流源镜像电流源输入级镜像电流源中间级输出级图4.3.1-1F007的偏置电路

2.输入级T1、T2、T3、T4组成共集－共基差分放大电路；T1、T2基极接收差分输入信号。T5、T6有源负载。T4集电极送出单端输出信号至中间级。RW调零电阻，R外接电阻。T7与R2组成射极输出器。uO+VCC-VEET6R1I3,4IC10IC9R2R3RRWT4T2T7T5T3T1T8T9图4.3.1-2uI2uI1

若暂不考虑T7和调零电路则电路可简化为：+VCC-VEEI3,4T4T2T3T1I8RCRCuI1uI2uO(1)T1、T2共集组态，具有较高的差模输入电阻和共模输入电压。(2)共基组态的T3、T4，与有源负载T5、T6组合，可以得到很高的电压放大倍数。(3)T3、T4共基接法能改善频率响应。(4)该电路具有共模负反馈，能减小温漂，提高共模抑制比。图简化示意图

3.中间级输入来自T4和T6集电极。输出接在输出级的两个互补对称放大管的基极。中间级T16、T17组成复合管，T13作为其有源负载。接入30pF的校正电容起相位补偿的作用，防止电路产生自激振荡。图4.3.1-3中间级示意图+VCC-VEET15T16IC13R7?T17R830pF?

4.输出级IC13R8uO+VCC-VEET14uID1R9R10T19T18R7T15D2图F007输出级原理电路T14、T18、T19准互补对称电路；D1、D2、R9、R10为过流保护电路；T15、R7、R8为输出级设置合适的静态工作点。调节R7、R8阻值可调节两个功率管之间的电压差。这种电路称为UBE倍增电路。

4.3.2单极型集成运放3.第二级增强型PMOSFET对管T3、T4增强型NMOS管T8构成漏极带有源负载的共源放大电路。双端输入、单端输出的MOS差分放大电路。2.第一级T1、T2、T7构成多路电流源。1.偏置电路电容C起相位补偿作用。由于第二级电路从T8的栅极输入，其输入电阻非常大，所以使第一级具有很强的电压放大能力。图4.3.5C14573电路图

4.4集成运放的性能指标及低频等效电路一、开环差模电压增益Aod一般用对数表示，定义为单位：分贝理想情况下Aod为无穷大；通用型集成运放的Aod为65～100dB。4.4.1集成运放的主要性能指标

二、输入失调电压UIO输入失调电压温漂?UIO定义：定义：为了使输出电压为零，在输入端所需要加的补偿电压。高质量运放：UIO为1mV以下。一般运放：UIO为1~10mV；高质量运放为每摄氏度0.5?V以下。一般运放为每摄氏度10~20?V；

四、输入失调电流IIO五、输入失调电流温漂?IIO当输出电压等于零时，两个输入端偏置电流之差，即定义：一般运放为几十~一百nA；高质量的低于1nA。定义：一般运放为每摄氏度几nA；高质量的每摄氏度几十pA。

差模输入电阻rid定义：定义：一般集成运放为几兆欧。定义：六、输入偏置电流IIB输出电压等于零时，两个输入端偏置电流的平均值。八、共模抑制比KCMR多数集成运放在80dB以上，高质量的可达160dB。

输入级能正常放大差模信号情况下允许输入的最大共模信号。九、最大共模输入电压UIcmax不至于使PN结反向击穿所允许的最大差模输入电压。－3dB带宽fH表示使Aod下降3dB时的信号频率。一般集成运放fH只有几赫兹至几千赫兹。F007C的fH仅为7Hz。十、最大差模输入电压UIdmax

单位增益带宽fc1使Aod降至0dB时的信号频率，此时开环差模电压放大倍数Aod等于1。2转换速率SR3额定负载条件下，输入一个大信号时，输出电压的最大变化率。单位为V/?s。4在实际工作中，输入信号的变化率一般不要大于集成运放的SR值。5其他技术指标还有：最大输出电压、静态功耗及输出电阻等。