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SiC MOSFET单粒子效应：机理深度剖析与加固技术创新研究.docx

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    SiCMOSFET单粒子效应：机理深度剖析与加固技术创新研究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在现代电力电子技术的快速发展进程中，碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为一种关键的第三代半导体器件，凭借其卓越的性能优势，在多个领域展现出了巨大的应用潜力，正逐渐成为研究与应用的焦点。

    与传统的硅基功率器件相比，SiCMOSFET拥有众多突出特性。在耐压能力方面，SiC材料的临界击穿电场强度约为硅材料的10倍，这使得SiCMOSFET能够轻松实现更高的耐压等级，目前市场上已量产的SiCMOSFET耐压可达3300V，最高耐压甚至达到6500V

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