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第38卷第5期电子科技大学学报Vol.38No.5
2009年9月JournalofUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaSep.2009
宽禁带功率半导体器件技术
张波，邓小川，陈万军，李肇基
(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054)
【摘要】碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比，宽禁带
半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的
半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展，包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁
带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述，并对其发展前景进行了展望。
关键词氮化镓;功率器件;碳化硅;宽禁带半导体
中图分类号TN3文献标识码Adoi:10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.018
WideBandgapSemiconductorsforPowerElectronics
ZHANGBo,DENGXiao-chuan,CHENWan-jun,andLIZhao-ji
(StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices,UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaChengdu610054)
AbstractWidebandgapsemiconductors,suchassiliconcarbide(SiC)andgalliumnitride(GaN),are
consideredtobeexcellentcandidatesforhighpower,highfrequencyandhightemperatureapplicationsinthe
commercialandmilitarypowerdistributionandconversionsystems.Theadvantagesofwidebandgapmaterials
overtheconventionalSiandGaAsincludewidebandgap,highsaturationelectronvelocity,andhighcritical
electricfield.Inthispaper,therecentprogressinthedevelopmentofhigh-voltageSiCandGaNpowerswitching
devicesisreviewed.Theexperimentalperformanceofvariousrectifiersandtransistors,whichhavebeen
demonstrated,isdiscussed.MarketandtechnicalchallengesonSiCandGaNpowerdevicesarealsodescribed.The
futuretrendsindevic
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