中职学校级电子技术第一次月考试卷 许维斌.docx

PAGE

PAGE2

xxx;县职业中专xxx;年秋学期第一次月考试卷

《电子技术》试卷（供xxx级;机电、汽修、电工班使用）

题号

一

二

三

四

总分

得分

一、填空题（每空1分,共10分）

1.半导体中存在着两类载流子，其中带正电的载流子叫作__________。N型半导体中多数载流子是___________。

2.二极管的核心部分是有一个，主要特性是具有________________。

3.锗二极管的死区电压是___________V，硅二极管导通时的电压降是____V。

4.半波整流与桥式整流电路相比，输出电压脉动成分较小的是__________电路。

5.若桥式整流电路中变压器次通讯单相电压为10v，则二极管的最高反向工作电压应小于_____V；若负载电流为400MA，则每只二极管的平电流应大于_____mA。

6.放大电路的基本性能是具有_________能力。

二、单项选择题(每小题2分，共30分)

1.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

A.三价B.四价C.五价D.六价

2.用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均约趋于零,这说明该二极管是（）。

A.内部短路B.完好状态C.极性搞错D.断路状态

3.在桥式整流电容滤波电路中，U2=100V，正常时U0=120V，现实测U0=90V，那电路中可能出现的故障是（）。

A.滤波电容和一个二极管开路B.有一个二极管烧断

C.负载RL开路D.滤波电容开路

4.测得工作在放大电路中的三极管各电极电位，其中硅材料的NPN管是（）。

A.VE=2.8V,VB=3.5V,VC=12VB.VE=2.7V,VB=3V,VC=12V

C.VE=12V,VB=11.3V,VC=6VD.VE=12V,VB=11.7V,VC=6V

5.三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是（）。

6.在基本共发射极放大电路中，其输出电压与输入电压（）。

A．频率相同B.波形相似C.幅度相同D.相位相反

7.在单相半波整流电路中，若有一只二极管断开，负载两端的直流电压将（）。

A、变为零B、下降C、升高D、保持不变

8.一个由NPN硅管组成的共发射极基本放大电路,若输入电压νi的波形为正弦波,而用示波器观察到期输出电压的波形如图所示,那是因为（）造成的。

νOt

νO

t

B、Q点偏低出现的截止失真

C、Q点合适，UI过大

D、Q点偏高出现的截止失真

9.二极管两端加正向电压时（）导通。

A、立即B、超过击穿电压C、超过0.3VD、超过死区电压

10.下列二极管可用于整流的是（）。

A、2AW7DB、2BK8CC、2CU2BD、2DZ16C

11.二极管的正极电位是－20V，负极电位是－10V，则该二极管处于（）。

A、反偏B、正偏C、零偏D、不确定

12.在下面电路中，（）图的小指示灯不会亮。

15V10V 6V 10V 10V 5V 5V 2V

A B C D

13.某硅二极管的反向击穿电压为34V，则其最高工作电压为（）。

A、5VB、17VC、34VD、68V

14.处于放大状态时，加在锗材料三极管的发射结正偏压为（）。

A、0.1VB、0.3VC、0.5VD、0.7V

15.NPN三极管工作在放大状态时，其两个结的偏压为（）。

A、UBE0，UCEUBEB、UBE0，UCEUBE

C、UBE0，UCE0D、UBE0，UCE0

三、多项选择题(每小题3分，共15分)

1.关于二极管伏安特性描述正确的是()。

A.当二极管两端所加的正偏电压小于某一值的时候，正向电流近似为零，二极管处于截止状态。

B.当正偏电压大于某一值的时候，正向电流迅速增加，二极管处于正向导通状态。

C.正向导通后,电流增大,正向电压也会增大,二极管正向电压随电流呈现线性变化。

D.当二极管的两端加反向电压时，反向电流随反向电压增大而增大，二极管处于反向截止状态。

E.当加