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《模拟电子技术》

期末总复习

模拟电子技术

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题型：

一、填空题（12、14分）

二、选择题（16分）

三、分析题（18、16分）（3、2题）

四、计算题（44分）（5题）

五、设计题（10分）（1题）

期中前约50%期中后约50%

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1绪论

一、电子电路中的信号：模拟信号和数字信号

二、放大电路性能指标：

1、电压放大倍数Au

电压增益=20lg|Au|(dB)

2、输入电阻ri

3、输出电阻ro

4、通频带

5、失真：

失真

线性失真

非线性失真：

幅度失真:

相位失真:

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半导体的性质：负温度系数、光敏特性、掺杂特性

一、半导体与本征半导体：

半导体的共价键结构：

惯性核

价电子

3二极管及其电路

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本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。

载流子

自由电子

空穴

本征激发

复合

本征半导体中电流由两部分组成：

1.自由电子移动产生的电流。

2.空穴移动产生的电流。

动态平衡

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二、杂质半导体

受主原子（离子）

多子：空穴，少子：自由电子。

多数载流子（多子）：自由电子，

少数载流子（少子）：空穴。

P型半导体（空穴导电型半导体）：掺3价元素使用空穴浓度大大增加的杂质。

施主原子（离子）

N型半导体（电子导电型半导体）：掺5价元素使用自由电子浓度大大增加的杂质。

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1、PN结的形成过程：

三、PN结与半导体二极管

扩散

接触

形成空间电荷区

内电场

漂移

动态平衡

PN结

空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区、PN结

2、PN结的最主要的特性——单向导电性：

PN结加正向电压导通，PN结加反向电压截止

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3、PN结的伏安特性：

反向击穿(电击穿)

雪崩击穿和齐纳击穿

正向特性

反向特性

击穿特性

稳压二极管利用击穿特性

4、PN结的电容效应：

势垒电容CB（PN结反偏）和扩散电容CD（PN结正偏）

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二极管的电路符号：

5、半导体二极管：

主要参数:最大整流电流IFM、反向峰值电压URM、反向直流电流IR等

分为：点接触型、面接触型、平面型。

特殊二极管：稳压二极管、变容二极管、肖特基二极管、

光电二极管、发光二极管、激光二极管等

特别是稳压二极管，利用其反向击穿效应

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四、二极管的基本电路及其分析方法

1、图解分析法：

vD

Q

VDD

VDD/R

2、简化模型分析法：

简化模型：理想二极管模型、恒压降模型、

折线模型、小信号模型

应用简化模型分析：

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（一）BJT的结构与工作原理:

基极

发射极

集电极

NPN型

PNP型

一、BJT的结构、原理与特性

4双极型三极管及放大电路基础

两种类型：NPN型和PNP型。

内部结构：

发射区：掺杂浓度较高

基区：较薄，掺杂浓度低

集电区：面积较大

为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的外部条件是：

a.发射结加正向电压(正向偏置):

NPN管：Vbe0；PNP管：Vbe0

b.集电结加反向电压(反向偏置):

NPN管：Vbc0；PNP管：Vbc0

2、载流子在基区的扩散与复合

3、集电区收集载流子

工作过程:

1、发射区向基区扩散其多数载流子

三个极（集电极c、基极b、发射极e）、三个区、两个PN结。

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电流关系式:

IE=IEN+IEP且有IENIEP

IEN=ICN+IBN且有IENIBN，ICNIBN

01

IC=ICN+ICBO

02

IB=IEP+IBN－ICBO

03

IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN

=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)

IE=IC+IB

04

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（二）BJT的V-I特性曲线

1、输入特性：

工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。

死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。

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2、输出特性

IC(mA)

此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。

此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V称为饱和区。

此区域中:IB=0，IC=ICEO，UBE死区电压，称为截止区。

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(3)截止区：VBE死区电压，IB=0，IC=ICEO0

放大区：发射结正偏，集电