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PE42823
文件类别:产品规格书
UltracMOS®单刀双掷RF开关，700MHz-6GHz
特性图1•PE42823功能图
•51dBmLTE的出色单事件峰值功率处理
•所有频率下的出色线性度性能ANT(RFC)
▪输入IP3:70dBm
▪输入IP2:105dBm
•扩展工作温度:+105°C
•1.8V/3.3VTTL兼容控制TXRx
(RF1)（rF2)
•RF引脚接地时具有4.5kVHBM的高ESD性能
•封装-16引脚3×3×0.75mmQFN封装
CMOS控制
应用程序驱动器和ESD
Ctrlv
•4G/4.5G无线基础设施
•Pre-5G/5GmassiveMIMO系统
•基于TDD的RF收发器
产品说明
PE42823是一款采用HARP™技术增强型50Ω单刀双掷RF保护开关，设计用于高功率，高性能无线基础设施应用，
如支持最高6GHz频率的宏蜂窝。
该开关具有高线性度，在整个电源范围内保持不变。PE42823还具有出色的隔离性能和快速开关时间，采用16引
脚3×3×0.75mmQFN封装。此外，如果RF端口上存在0VDC，则不需要外部隔离电容。
PE42823采用Peregrine的UltracMOS®工艺制造，这是一种获得专利的高级绝缘体上硅(SOI)技术。
百富勤的HaRP技术增强提供高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一个创新特性，提供了GaAs的
性能和传统CMOS的经济性和集成度。
©2015-2017年，PeregrineSemiconductorCorporation。版权所有。•总部:9380CarrollParkDrive，SanDiego，CA，92121
产品规范DOC-67417-4-(05/2017)
PE42823
单刀双掷射频开关
绝对最大额定值
超过表1中列出的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏。操作应限制在表2中的限值内。在最大工作范围和
ESDPrecautions
WhenhandlingthisUltraCMOSdevice,observethesameprecautionsaswithanyotherESD-sensitivedevices.
AlthoughthisdevicecontainscircuitrytoprotectitfromdamageduetoESD,precautionsshouldbetakentoavoid
exceedingtheratingspecifiedinTable1.
Latch-upImmunity
UnlikeconventionalCMOSdevices,UltraCMOSdevicesareimmunetolatch-up.
Table1•AbsoluteMaximumRatingsforPE42823
ParameterConditionMinTypMaxUnit
Powersupplyvoltage–0.3
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