炭素工艺学第一章炭和石墨材料.pptVIP

炭素材料线膨胀系数的特点炭素材料的线膨胀系数比金属小得多，而且随石墨化度提高而减小。炭素材料的线膨胀系数具有明显的各向异性。a轴方向的ɑ值在450℃一下为负值，常温时达到最小值，而c轴方向的ɑ值均为正值。石墨晶体的线热膨胀系数现在您正浏览在第31页，共68页。石墨制品的ɑ值随温度的变化都有相同的趋势，以20~100℃区间测定的ɑ值为基准，只要加上附加值（△ɑ）即可得到不同温度下的线膨胀系数。而炭素材料的热膨胀系数是在热膨胀仪中测定，石墨电极热膨胀系数测定方法可参见GB3074.4—82。平均线热膨胀系数的温度修正值现在您正浏览在第32页，共68页。1.1.4.5抗热震性抗热震性：材料在高温下使用时，能经受温度的剧变而不受破坏的性能。当温度快速变化时，材料表面和内部产生温度梯度，它们的膨胀和收缩不同而产生内应力，当应力达到极限强度时，就会使材料破坏。提高材料抗热震性的方法：减小热应力的产生、缓冲热应力的发展和增强抵抗热应力的能力。抗热震性指标与耐热冲击参数与力学和热学之间关系：R—抗热震性指标；Rˊ—耐热冲击参数；P—抗拉强度，MPa；α—县热膨胀系数，1/℃；E—杨氏弹性模量，MPa；λ—热导率，W/(m?K)；cp—定压比热容，KJ/(Kg?K)；Dv—体积密度，g/cm3。现在您正浏览在第33页，共68页。炭素材料的热导率高、α值小，从而热应力小，E值低，可以缓解热应力，因而它的抗热震性强。石墨的耐热冲击参数远高于其他一些耐热材料。各种耐热材料的耐热冲击参数现在您正浏览在第34页，共68页。1.1.5炭素材料的电学和磁学性质1.1.5.1导电性和电阻率物质的导电能力大小一般采用电阻率（ρ）来表示，按导电能力不同，固体物质可分为电的良导体、半导体和绝缘体三类。常用炭素材料的电阻率炭素材料导电性的特点石墨化程度高的炭素材料的导电性有明显的各向异性。石墨晶体层面上的原子以共价键叠合金属键结合，所以具有良好的导电性；而在石墨晶体层与层之间是由较弱的分子键链接，故导电能力弱。炭素材料的导电能力随石墨化度不同而不同。石墨化度高，层面排列平行，晶格缺陷少，有利于电子流动，其电阻率就低。现在您正浏览在第35页，共68页。温度变化对炭素材料的导电性的影响石墨晶体受热，价带上的电子跃迁到导带，自由电子数量增加，电阻率降低。温度升高，晶格点阵热振动加剧，振幅增大，自由电子流动阻力加大，电阻率增加。在100~900K以下，温度使电子激发作用起主导，炭素材料的电阻温度系数为负值，900K以上为正值。石墨在温度超过1000℃时的电阻率可由下式计算：石墨制品的电阻率及电阻温度系数ρt，ρ1000—分别在t℃和1000℃时的电阻率；α—电阻温度系数。现在您正浏览在第36页，共68页。1.1.5.2磁学性质炭素材料磁化后产生的磁场强度方向与外加磁场强度方向相反，是一种抗磁性物质，其磁化率(χ)为负值。平均抗磁性磁化率：定义1/3△χ位平均抗磁性磁化率。磁阻：在外加磁场时的电阻率(ρH)与不加磁场时的电阻率(ρ)之差值△ρ与电阻率之比(△ρ/ρ)称为磁阻。磁阻与炭素材料的热处理温度有密切关系，因此磁阻是评价石墨化度极其灵敏的指标之一。炭素材料磁学特性大多数炭素材料的磁化率呈现明显的各向异性。单晶石墨不同方向的单位质量磁化率分别为χ⊥=-21.5×10-6emu/g；χ∥=-0.5×10-6emu/g。△χ=-21×10-6emu/g。各种炭素材料在不同温度下的χm值与其微晶大小相关，测定石墨材料的抗磁性磁化率是研究石墨晶体发育程度的方法之一。现在您正浏览在第37页，共68页。1.1.6炭素材料的化学性质炭素材料的化学性质稳定，是一种耐腐蚀材料。但在高温下会与氧化性气体或强氧化性酸发生氧化反应；在高温下会熔解于金属并生成碳化物，形成石墨层间化合物。1.1.6.1氧化反应碳氧化反应的影响因素温度，常温下碳与各种气体不发生化学反应。石墨化度，石墨化度愈高，石墨的晶体结构愈完整，其反应活化能大，抗氧化性好。炭素材料的孔结构，碳与气体之间反应属于气固反应，其反应速度由表面反应速率和气体分子向材料内部扩散速率决定。较低温度下，氧化速率不高，气体分子能扩散到材料内部，此时，氧化反应速率与孔结构有关；在800℃以上，化学反应速率快，氧气分子来不及扩散到材料内部，此时氧化速率与孔结构关系较小。杂质，炭素材料所含杂质对氧化反应起催化作用。现在您正浏览在第38页，共68页。1.1.6.2碳化物的生成在高温下碳溶解于Fe、Al、Mo、Cr、Ni、V