04M0135《半导体器件工艺原理》教学大纲-202501.docxVIP

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ADDINCNKISM.UserStyle《半导体器件工艺原理》教学大纲

课程英文名

Semiconductordevicesprocessingtechnique

课程代码

04M0135

学分

2

总学时

32

理论学时

24

实验/实践学时

8

课程类别

专业课

课程性质

任选

先修课程

《半导体物理》《半导体器件》

适用专业

电子科学与技术专业、电子科学与技术(卓越)专业、微电子科学与工程专业

开课学院

光学与电子科技学院

执笔人

姜丽

审定人

孟彦龙

制定时间

2025年1月

注：课程类别是指公共基础课/学科基础课/专业课；课程性质是指必修/限选/任选。

一、课程地位与课程目标

（一）课程地位

本课程适用于电子科学与技术专业学生，其任务是：通过本课程的学习，使学生了解半导体器件工艺所具备的特点；掌握半导体器件的制造流程和基本制造方法，并具备初步的工艺知识，为进一步研究集成电路制造打下工艺基础。熟悉双极器件和CMOS制造工艺流程及半导体器件制造过程中的氧化、扩散、离子注入、CVD、外延，光刻、金属化等过程。本课程综合应用学生已学过的半导体物理、半导体器件基础等课程知识，去解决现代VLSI制造中的实际工艺问题。它是培养VLSI与系统设计和制造的工程技术人才必不可少的一门课程。

（二）课程目标

1.了解半导体器件及集成电路的发展历史、现状和发展趋势。掌握半导体器件工艺的基本原理和制造工艺。

2.能够从半导体材料→半导体器件→集成电路，掌握半导体器件的制造流程和基本制造方法。为解决芯片制造过程中的实际问题提供研究基础。

3．通过分组讨论等，培养学生具有团队意识和人际交流能力。

思政教育目标：

4.结合半导体器件领域的新技术，当前芯片制造领域的瓶颈及困局等，激发学生学习兴趣，树立科技强国的信念。培养学生为成为电子科学与技术领域从事设计、制造、检测、应用开发、产品技术服务及经营管理等的专业人才努力学习的意识和精神。

二、课程目标达成的途径与方法

本课程理论教学、实验教学和专题讨论相结合；采用板书、多媒体教学等多种教学手段，引入计算机辅助教学，动画和实物等多种教学手段。并通过演示实验等方式，帮助学生更加直观和深入的了解双极器件和CMOS制造工艺流程及半导体器件制造过程中的氧化、扩散、离子注入、CVD、外延，光刻、金属化等过程。提高学生的学习兴趣，激发学生的创新能力。通过布置作业、课堂讨论和实验等实现课程目标。

1、各考核项对应课程目标权重分配如下表：

平时及作业

实验

期末考试

课程目标1

0.2

0.1

0.7

课程目标2

0.2

0.1

0.7

课程目标3

0.5

0.5

0.0

课程目标4

0.5

0.5

0.0

2、课程目标达成度计算公式：

三、课程目标与相关毕业要求的对应关系

课程目标

课程目标对毕业要求的支撑程度（H、M、L）

毕业要求1

毕业要求2

毕业要求4

毕业要求7

毕业要求10、12

课程目标1

M

M

M

课程目标2

M

M

M

课程目标3

L

M

课程目标4

M

M

注：1.支撑强度分别填写H、M或L（其中H表示支撑程度高、M为中等、L为低）。

四、课程主要内容与基本要求

第一章?绪论

1.1半导体技术的发展过程

1.2半导体器件与工艺简介

要求：了解半导体材料和半导体器件，学习半导体技术的发展过程，微电子技术的发展限制，集成电路的工艺技术指标。

?晶体生长技术

2.1晶体的生长方法

2.2硅片制备工艺

2.3晶体特性

要求：了解晶体的结构、特性及生长方法，晶圆工艺流程；掌握单晶硅生长方法，砷化镓生长方法，单晶硅制备方法及工艺技术；了解晶体缺陷。

第三章光刻技术

3.1光刻工艺

3.2光刻胶

3.3对准和曝光

3.4光刻胶显影

要求：掌握光刻基本概念，光刻基本要素；掌握光学曝光系统、类型、分辨率提高方法；掌握掩膜，光刻胶等概念，光刻工艺过程。通过了解光刻过程中的瓶颈问题，光刻机的国内外现状，芯片制造的困境等，树立学生科技创新，科技强国的信念。

第四章?刻蚀技术

4.1刻蚀参数

4.2干法刻蚀

4.3湿法刻蚀

要求：掌握刻蚀的基本概念，刻蚀的基本方法；掌握干法刻蚀和湿法刻蚀原理；掌握刻蚀的工艺流程，刻蚀参数。

第五章?扩散技术

5.1扩散原理

5.2非本征扩散

5.3扩散系统

要求：了解杂质掺杂、扩散的基本概念；掌握扩散分布，扩散方法；掌握硅原子扩散。

第六章?离子注入技术

6.1离子注入原理

6.2辐照损伤与退火

6.3离子注入机

要求：了解离子注入原理与发展趋势；掌握离子注入过程；掌握离子沟道效应；了解注入损伤，退火方法。

第七章?薄膜沉积

7.1薄膜生长原理

7.2化学气相沉积

7.3外延生长

要求：掌握薄膜生长的基本原理；