TCASAS040-SiC MOSFET功率模块短路可靠性测试方法.pdf

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS040—202X（征求意见稿）

SiCMOSFET功率模块短路可靠性测试方法

Short-circuitreliabilitytestmethodforsiliconcarbidemetal-

oxide-semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）power

module

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS040—202X（征求意见稿）

目次

前言III

引言IV

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4测试对象2

5测试原理2

一般要求2

等效单管测试的测试原理2

桥臂直通测试的测试原理2

6测试条件3

测试环境条件3

测试安全条件3

7测试流程4

等效单管测试的测试流程4

桥臂直通测试的测试流程4

8数据记录和处理6

9测试报告7

附录A（资料性）功率模块短路可靠性测试记录表8

参考文献9

I

T/CASAS040—202X（征求意见稿）

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）制定发布，版权归CASA所有，未经CASA许可

不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASA允许；任何单位或个人引用本文件的

内容需指明本文件的标准号。

本文件主要起草单位：

本文件主要起草人：

III

T/CASAS040—202X（征求意见稿）

引言

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力

强、通态电阻低和开关损耗小等特点。与SiCMOSFET单管功率器件相比，SiCMOSFET功率模块的电流更

大，功率更高，广泛应用于高频、高压功率系统中。在SiCMOSFET功率模块的应用场景中，如电机驱动、

逆变器、变频器等，有时会出现短路