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模拟电子技术基础-知

识点总结讲解

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模拟电子技术复习资料总结

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体

的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电

子）。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空

穴）。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导

体。

7.PN结

*PN结的接触电位差硅材料约为~，锗材料约为~。

*PN结的单向导电性正偏导通，反偏截止。

8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性同ＰＮ结。

*正向导通压降硅管~，锗管~。

*死区电压硅管，锗管。

3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若VV(正偏)，二极管导通(短路);

阳阴

若VV(反偏)，二极管截止(开路)。

阳阴

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点Q。

2)等效电路法

直流等效电路法

*总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);

若V阳V阴(反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型

微变等效电路法

三.稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在

电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路

一.三极管的结构、类型及特点

1.类型分为NPN和PNP两种。

2.特点基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二.三极管的工作原理

1.三极管的三种基本组态

2.三极管内各极电流的分配

*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件

式子称为穿透电流。

3.共射电路的特性曲线

*输入特性曲线同二极管。

*输出特性曲线

(饱和管压降，用U表示

CES

放大区发射结正偏，集电结反偏。

截止区发射结反偏，集电结反偏。

4.温度影响

温度升高，输入特性曲线向左移动。

β

温度升高I、I、I以及均增加。

CBOCEOC

三.低频小信号等效模型（简化）

h输出端交流短路时的输入电阻，

ie

常用r表示；

be

h输出端交流短路时的正向电流传输比，

fe

常用β表示；

四.基本放大电路组成及其原则

1.VT、V、R、R、C、C的作用。

CCbc12

2.组成原则能放大、不失真、能传输。

五.放大电路的图解分析法

1.直流通路与静态分析

*概念直流电流通的回路。

*画法电容视为开路。

*作用确定静态工作点

*直流负载线由V=IR+U确定的直线。