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半导体应聘考试题库及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体中导电的载流子不包括（）

A.电子B.空穴C.离子

答案：C

2.本征半导体中，电子浓度与空穴浓度关系是（）

A.电子浓度大B.空穴浓度大C.两者相等

答案：C

3.P型半导体的多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子

答案：B

4.以下哪种材料不是常见半导体材料（）

A.硅B.铜C.锗

答案：B

5.半导体二极管具有（）

A.双向导电性B.单向导电性C.无导电性

答案：B

6.当P型半导体和N型半导体接触后形成（）

A.晶体管B.二极管C.耗尽层

答案：C

7.半导体三极管有（）个电极

A.2B.3C.4

答案：B

8.使三极管工作在放大区的偏置条件是（）

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结、集电结都正偏

答案：A

9.MOS管属于（）

A.双极型器件B.单极型器件C.混合型器件

答案：B

10.衡量半导体材料导电能力的物理量是（）

A.电阻率B.电导率C.电容率

答案：B

多项选择题（每题2分，共10题）

1.常见的半导体材料有（）

A.硅B.锗C.砷化镓

答案：ABC

2.半导体中的杂质可分为（）

A.施主杂质B.受主杂质C.中性杂质

答案：AB

3.半导体二极管的主要参数有（）

A.最大整流电流B.最高反向工作电压C.反向电流

答案：ABC

4.三极管的工作状态有（）

A.放大B.饱和C.截止

答案：ABC

5.以下属于半导体制造工艺的有（）

A.光刻B.蚀刻C.掺杂

答案：ABC

6.半导体集成电路按功能可分为（）

A.数字集成电路B.模拟集成电路C.混合集成电路

答案：ABC

7.影响半导体器件性能的因素有（）

A.温度B.光照C.湿度

答案：AB

8.半导体存储器分为（）

A.随机存取存储器B.只读存储器C.顺序存取存储器

答案：AB

9.半导体传感器可用于测量（）

A.温度B.压力C.气体浓度

答案：ABC

10.以下关于P型半导体正确的是（）

A.多数载流子为空穴

B.掺杂三价元素

C.带正电

答案：AB

判断题（每题2分，共10题）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

答案：对

2.本征半导体在绝对零度时没有载流子。（）

答案：对

3.N型半导体带负电。（）

答案：错

4.二极管加正向电压一定导通。（）

答案：错

5.三极管只能用于放大信号。（）

答案：错

6.集成电路的集成度越高越好。（）

答案：错

7.半导体材料的导电性不会受外界因素影响。（）

答案：错

8.耗尽层的宽度会随外加电压变化。（）

答案：对

9.所有半导体器件都需要掺杂。（）

答案：错

10.MOS管的输入电阻很大。（）

答案：对

简答题（每题5分，共4题）

1.简述本征半导体与杂质半导体的区别。

答案：本征半导体是纯净的半导体，导电能力弱，电子和空穴浓度相等。杂质半导体是掺入杂质的半导体，依杂质不同分为P型和N型，导电能力因杂质作用增强，多数载流子类型由杂质决定。

2.说明半导体二极管单向导电性原理。

答案：当二极管加正向电压，外电场削弱内电场，多子扩散增强形成正向电流，二极管导通；加反向电压，外电场增强内电场，多子扩散受阻，只有少子漂移形成很小反向电流，二极管截止，表现单向导电性。

3.简述三极管放大作用的条件。

答案：三极管放大作用条件是发射结正偏、集电结反偏。发射结正偏使多子扩散形成发射极电流，集电结反偏使发射区扩散到基区的多子大部分能漂移到集电极形成集电极电流，实现电流放大。

4.简述光刻在半导体制造中的作用。

答案：光刻是半导体制造关键工艺，通过光刻技术将掩膜版上的电路图案转移到半导体晶圆表面的光刻胶上，精确确定器件和电路的位置与形状，为后续蚀刻、掺杂等工艺奠定基础，决定芯片集成度和性能。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论半导体技术发展对现代生活的影响。

答案：半导体技术推动电子产品小型化、高性能化，如手机、电脑等。在通信领域实现高速数据传输，互联网发展也依赖于此。在汽车、医疗等行业也广泛应用，如汽车电子控制系统、医疗检测设备，极大改变和便利了现代生活。

2.谈谈半导体产业面临的