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《GB_T 24582 - 2023多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取 - 电感耦合等离子体质谱法》最新解读.pptxVIP

《GB_T 24582 - 2023多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取 - 电感耦合等离子体质谱法》最新解读.pptx

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    《GB/T24582-2023多晶硅表面金属杂质含量测定酸

    浸取-电感耦合等离子体质谱法》最新解读

    一、多晶硅表面金属杂质：不可小觑的“隐形杀手”

    （一）金属杂质如何“入侵”多晶硅

    多晶硅在生产制备过程中，从原料的选取、提纯，到后续的生长、加工等各个环节，都有可能引入金属杂质。例如，生产设备中的金属部件在长期使用过程中，可能会因磨损而向多晶硅中释放金属颗粒；原料中本身含有的微量金属杂质，如果在提纯过程中未能完全去除，也会残留在多晶硅内。而且，生产环境中的尘埃粒子若含有金属成分，也可能在不经意间附着在多晶硅表面，成为金属杂质的来源之一。

    （二）金属杂质对多晶

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