电工电子技术 课件 模块6 常用半导体器件.ppt

单元2晶体管一、半导体晶体管的结构在一块半导体芯片上，形成P型和N型半导体相隔的三个大小不等的导电区域和两个PN结，分别从三个区引出电极引线，加上管壳封装，就制成三极管。根据组成三个区P型或N型半导体的排列顺序的不同，三极管分为NPN型和PNP型两类。图中，中间的较小的区叫基区，基区两侧面积较大的区叫集电区，另一个是发射区，引出的电极分别叫基极（B）、集电极（C）、发射极（E）。两个PN结分别称为发射结和集电结。三极管按芯片材料不同，有硅管和锗管两种。二、晶体管的特性三极管在不同的外部电压作用下，可呈现出三种特性：1．电流放大作用三极管具有电流放大作用的条件是：发射结（BE两极间）加正向电压，集电结（BC两极间）加反向电压（VC＞VB，VB＞VE）。即发射结正向偏置，集电结反向偏置。这时，满足以下关系：（1）三极管各极电流的分配关系为：发射极电流等于集电极电流与基极电流之和，即IE=IC+IB且ICIB（2）集电极电流IC与基极电流IB满足放大关系：β＝IＣ/IB或β=△IC/△IB其中，β称为三极管的电流放大系数。以上表明，三极管的基极电流发生微小变化时，集电极电流会发生较大变化，且比值基本恒定，这种小电流对大电流的控制作用，就是三极管的电流放大作用。2．开关作用三极管除具有电流放大状态外，还可处于另外两种状态，这就是截止或饱和状态。（1）截止状态三极管工作在截止状态的条件是：发射结（BE两极间）加反向电压，集电结（BC两极间）也加反向电压（VC＞VB，VE＞VB）。即发射结和集电结均反向偏置。三极管处于截止状态时，两PN结均近于断开状态。这时，IC≠βIB,三极管不具备电流放大作用，而是相当于一个断开的开关。（2）饱和状态三极管工作在饱和状态的条件是：发射结（BE两极间）加正向电压，集电结（BC两极间）也加正向电压（VB＞VE，VB＞VC）。即发射结和集电结均正向偏置。三极管处于饱和状态时，两PN结均处于完全导通状态，且。这时，IC≠βIB，三极管不具备电流放大作用，而是相当于一个闭合的开关。综上，三极管的截止和饱和状态统称为开关作用，即三极管截止时相当于开关闭合，饱和时相当于开关断开。三、晶体管的特性曲线（1）输入特性曲线输入特性曲线是指集-射电压UCE一定时，基极电流?b随基-射电压UBE而变化的曲线。即：?b=f(UBE)|UCE一定。曲线与二极管的正向特性相似，三极管正常放大时，工作在陡直的部分，电压UBE数值不大，变化也较小，可近似认为硅管UBE=0.7V，锗管UBE=0.3V。***电工电子技术

教学课件

(模块6常用半导体器件)

单元6二极管一、半导体及PN结1.半导体（1）导体导电性能好的物质，诸如金属铜、铝和铁之类。（2）绝缘体几乎不能导电，诸如橡胶、陶瓷、塑料、石英等。（3）半导体导电性能介于导体和绝缘体之间，称为半导体，如四价元素硅、锗、硒等都是常用的材料。2.纯净半导体纯净半导体也称本征半导体，是由一种原子构成的半导体。纯净半导体结构稳定，常温下，核外电子不易参与导电，导电能力很差。3.掺杂半导体如果在纯净的半导体中掺入少量杂质元素，其导电能力也会显著增强。由于掺杂的方式不同，可构成两种半导体，即N型半导体和P型半导体。N型半导体：内部自由电子（带负电）浓度高，主要靠电子导电。P型半导体：内部空穴（带正电）浓度高，主要靠空穴导电。4.PN结及其单向导电性（1）PN结的形成在一块半导体芯片上（如硅或锗），通过不同的掺杂工艺，使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，在这两种杂质半导体的交界面处会形成一个具有特殊性质的薄层，这个特殊的薄层称为空间电荷区，即PN结。（2）单向导电性PN结其实就是空间电荷层，具有内部电场。当不加外加电压时，内部电场和PN结两边载流子浓度差的扩散作用相等而处于电平衡状态。但当加有外接电压时，平衡被打破，将有不同大小的电流通过PN结。当电压按下图(a)中正负极性所加时（称电压正向偏置），这时电流很大，认为PN结导通。当电压按下图(b)中正负极性所加时（称电压反向偏置），这时电流很小（约为零），认为PN结截止（不通）。所以，PN结的特性是单方向导通电流，即单