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新解读《GB_T 41153 - 2021碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》最新解读.pptxVIP

新解读《GB_T 41153 - 2021碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》最新解读.pptx

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    《GB/T41153-2021碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含

    量的测定二次离子质谱法》最新解读

    一、标准出台背景与意义深度剖析

    （一）碳化硅材料的战略地位凸显

    碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，以其卓越的物理与电学特性，如宽禁带、高击穿电场、高热导率以及高饱和电子漂移速度等，在现代科技领域占据着举足轻重的地位。在微波通讯方面，它能够显著提升信号的传输速度与质量，为5G乃至未来6G通信的发展提供坚实支撑；于雷达系统中，可增强雷达的探测精度与距离，助力国防安全事业；在电力电子领域，更能大幅提高能源转换效率，推动新能源汽车、智能电网等产业的;

    进步。正因如此，其

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