2025年多晶硅入门必备核心概念解析.doc

块状硅多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布,其线性尺寸最小为(6mｍ）最大为(100ｍm）.

探针绝缘性,一探针（包括连接弹簧和外部引线)与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻不小于（109Ω)。

对于P型单晶，在（6）倍熔区处读取电阻率值，该值即为样品的基硼电阻率值。

对于N型单晶，在(８）倍熔区处读取电阻率值，该值即为样品的基磷电阻率值。

热探笔上所用的电阻丝的功率一般只需(１0～15W）.

冷热探笔法一般合用于室温电阻率在(１00０Ω．Cm）如下的硅单晶。

整流法一般合用于室温电阻率在(1~１0０0Ω.Ｃm)的硅单晶。

单晶在测试过程中应保证环境温度（２3±2℃），温度（≤65％）,（电磁屏蔽，无强光照射）。

四探针恒流源的光流范围为(１０－1～10-６A)，稳定度优于（±0.05%）。

四、简答题

1.国标中太阳能级与电子级产品等级的划分

基磷电阻率

(Ω.ｃm)

基硼电阻率

（Ω．ｃｍ）

Ｎ型少数载流子寿命

(μs)

国标电子级一级

≥5００

≥3000

≥5０0

国标电子级二级

≥3０0

≥

≥３０0

国标电子级三级

≥200

≥1000

≥１00

太阳能级一级

≥100

≥500

≥１00

太阳能级二级

≥４0

≥2０0

≥50

太阳能级三级

≥2０

≥１00

≥30

2.物理性能检测中样品制备的事故判断处理及防止

1.为防止机械对人导致伤害,上班前，按规定穿戴好劳保用品，使用酸碱时,穿戴好防护用品,在通风良好的条件下操作。

2.若发现机器电机转动声音异常，应立即停止进行检查，正常后即可投入使用。

3.若酸碱液溅在皮肤上，立即用大量清水冲洗。

4.使用耐酸手套前要检查与否完好。

5.钻取样品时,若出现松动,应立即停机，紧固后方可进行加工，手动进刀时，一般按照均匀进给的原则进行,以免用力过猛导致事故。

3.物理性能检测中区熔制备硅单晶的控制要点

1.在装炉时,原料棒及籽晶要做到安放平整、对中、稳定可靠。

2.在对磷检炉操作过程中,通入氩气时要控制号氩气的阀门,流量由小到大,逐渐靠近工艺规定值。

3．熔接时，要选择合适的功率，升温不能过急,注意熔区在感应线圈中的位置与否得当。

4.初始拉速不能由零突越至拉制速度，应缓慢增大。

5.选择合适的供料速度,保证熔区体积不变，熔区稍微饱满为好。

６.在单晶生长过程中,要控制好硅熔区，防止熔区流垮，同步竭力保持拉制棒材直径的均匀性。

7.在进行收尾工作时,控制好速度，不能过快,以免产生位错。

４.简述物理性能检测的工艺流程图

用大型切断机切取温圈氧化夹层片（线1）

用大型切断机切取温圈氧化夹层片（线1）

用大型切断机对样品进行切断（线2）产品取样样品退火

用大型切断机对样品进行切断（线2）

线1腐蚀清洗送检测岗位检测

线2用大型切断机对样棒进行去应力切割取硅芯层和生长层棒样

腐蚀清洗区熔检测导电类型检测样品电阻率

检测样品少子寿命对单晶棒样进行红外样片切割对切割片样进行研磨抛光、制备成红外样将红外样片送质监进行后续检测

5.单晶硅中间隙氧样品规定:

(1）样品的厚度范围为０．04cm~０.４cm;

（2）单晶硅样片，样片经双面研磨抛光。

（3)加工后样片的两个面应尽量平行，所成角度不不小于1°

（4）其厚度差应不不小于等于0．5%，

（5）表面平整度应不不小于所测杂质谱带最大吸取处波长的1/4。样品表面不应有氧化层。

5.四探针法测量电阻率的测准条件有哪些？

(1）样品的几何尺寸必须近似满足半无限大,详细的说即样品的厚度必须不小于3倍针距,探针头中任一探针离样品边缘的近来距离不得不不小于3倍针距(纵向、横断面电阻率测试的选择均由此而来)。

(２）测量区域的电阻率应是均匀的，为此针距不适宜过大,一般采用1~２ｍm左右的针距较合适。

(３）四根探针应处在同一平面的同一直线上,为此规定四根探针严格的排成一直线,还规定样品表面平整。

（4)四探针与试样应有良好的欧姆接触,为此探针应当比较尖，与样品的接触点应是半球形,使电流成放射状发散(或汇拢），且接触半径应远远不不小于针距，一般规定接触半径不不小于５０微米左右,针头应有一定压力，一般取2×9.8N较合适。

（5）电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化。

干扰原因：

1)陷阱效应影响：室温下的硅和低温下的锗，载流子陷阱会产生影响。假如试样中存在电子或空穴陷阱，脉冲光停止后，非平衡少数载流子将保持较高浓度并维持相称长时间，光电导衰减曲线会出现一条长长的尾巴。在这段衰减曲线上进行测量将错误的导致寿命值增大。

2)表面复合影响：表面假如处理不好，会影响少子寿命

3)注入