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高频变压器磁芯性能研究的国内外文献综述

1高频变压器的发展与现状

变压器的核心工作原理就是电磁感应定律，其本质就是一种电磁转换的工具。1831年，法拉第进行磁生电的实验，他在铁环上分别缠制两个铁线圈，其中一个线圈串联电流表，另外一个接上电源电池和开关，电流表的示数会因为开关的开合而产生变化。实验中的线圈后来被称为“法拉第感应线圈”，这个感应线圈就是变压器的雏形。1876年俄国的雅布洛启科夫利采用电磁线圈为核心，制造出世界上第一个配电变压器[7]。1885年，匈牙利的三位工程师发明制造出世界上第一台有使用价值的单相变压器，并将其命名为变压器，此后它的名字以及所运用的很多结构，例如原边并联等结构一直被沿用到现在。随着科技的不断进步发展，变压器也向着种类繁多、作用全面、性能可靠，应用广泛的方面不断发展。

最初的变压器只是用于一些简单的观察和测量。20世纪以来，由于交流输电线路的大规模应用，工频变压器得到了高度重视和迅速发展。到20世纪50年代以后，电力电子技术的发展使高频变压器的发展进入了一个新的阶段。在20世纪60年代，在当时被广泛应用的线性直流稳压电源成为主流，但是其调节管的缺点也非常明显，由于它是在放大状态下工作，产热量大，效率低，采用的散热片多，导致体积太大，占用的空间比较多。20世纪70年代以来，随着电源技术的不断突破和创新，可用于大功率逆变器的晶闸管、GTO和GTR等开始受到人们的关注。同时，日本在上世纪70年代率先建成了第一台开关电源。此时，开关频率将远高于工频工作状态，频率的提高将导致变压器能量传输效率的提高，这最终体现在高频变压器的体积上，即大大减小其体积。另一方面，高频变压器的小型化又使其发热和损耗大大降低，提高了工作效率。

20世纪80年代以后，微电子技术的发展进入了一个新的阶段。首先提到的是功率半导体场效应晶体管（MOSFET），它的出现改变了中小型电源的低频问题，使其达到了几百千赫的新阶段。绝缘栅双极晶体管（IGBT）的发明实现了高频电源的高压化。相应地，在磁芯材料的选择上，铁氧体和纳米晶也取代了传统的硅钢片。即使借助于变压器材料的不断创新和改进，也能将变压器的高度压缩并控制在很小的范围内，从而实现电子变压器的小型化，减小整个电气开关柜的体积。同时，高频变压器工作频率的提高大大提高了其实际工作效率[8]。?

与工频变压器相比，高频变压器具有很多明显的特点，其中一个特点是磁通密度高，另外一个明显的特点是工作频率高。高频变压器的工作频率可与开关电源相匹配。近年来，随着高频变压器的迅速发展，高频变压器在各个领域的应用越来越受到人们的重视，特别是对未来智能电网的建设中，有广泛的应用前景。

由于高频变压器的重要性，世界上许多发达国家率先对其进行了研究，并进行了突破创新[9-14]，美国率先开始对其的研究，通过采用相位控制的方法，研制出一种智能变压器。日本紧随其后，针对高频变压器的功率，利用电能耦合研制出更大功率的高频变压器。随着理论研究的不断丰富，加拿大、以色列、新西兰等国家的学者们也相继设计研究出允许频率更高、性能更好的高频变压器。

国内对于高频变压器的研究：国内的研究起步是比较晚的，进入21世纪后才正式开始对高频变压器进行详细的研究。2002年，由毛承雄教授率先开始对该领域的研究。此后更多学者介入对高频变压器的研究，使得相关理论不断完善。同时对于高频变压器的设计也有了一定进展[15-18]。其中包括对于高频变压器设计方法的研究、对磁芯材料以及磁特性的研究，还有对高频变压器性能的优化设计等。但总体来说，国内对于高频变压器的研究还相对落后，并未在工业领域被大量应用。

高频变压器的应用领域十分广泛，在开关电源、高压静电除尘等工业领域都会有高频变压器的身影。不仅如此，电源中主要的噪声与发热都是来源于变压器，而且其体积与重量也相当的大，几乎占据了整个电源设备的大部分，变压器的合理设计关乎整个开关电源的体积大小，也是提高工作效率的核心技术之一。因此，变压器将来的主要发展与研究方向就是小型化与高频化。

2高频变压器磁芯性能研究现状

磁芯是高频变压器的重要部件，对高频变压器工作特性有很大的影响，其磁芯材料的性能将直接影响高频变压器的整体性能[19]。目前，用于高频变压器磁芯的典型材料有硅钢片、铁氧体、非晶和纳米晶合金等。其中硅钢片在高频下的损耗较大，铁氧体的磁特性不是特别理想，所以常采用非晶和纳米晶等作为高频变压器的磁芯。20世纪90年代，日本学者首先研究出纳米晶合金，后来其他专家相继加入新型纳米晶合金的开发，研制出具有更高饱和磁密的NANOPERM和Hiperm等新型纳米晶合金，提升了纳米晶的特性。我国在非晶、纳米晶合金等材料的研制开始比较晚，但在短期内取得了很大进步。科研人员们通过实验，研制出生产