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摘要
摘要
AlGaN基薄膜具有带隙宽、能带连续可调、击穿电场高、理化性能稳定等优点，
在发光二极管（LED）、激光器（LD）、紫外探测器（UVD）等领域成为研究热点。
AlGaN基LED器件的主要形态结构为薄膜器件，制备高质量的AlGaN基薄膜是制造
高性能LED器件的必要条件。目前，AlGaN基LED薄膜主要以蓝宝石为衬底采用有
机金属化学气相沉积（MOCVD）技术制备。由于AlGaN与蓝宝石衬底之
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