一种快速除去杂质硒制备高纯二氧化碲粉末的方法[发明专利] .pdfVIP

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种快速除去杂质硒制备高纯二氧化碲粉末的方法

专利类型：发明专利

发明人：蒋文龙,黄大鑫,杨斌,刘大春,徐宝强,查国正,李一夫,

田阳,李志超,孔令鑫,王飞,陈秀敏,杨红卫,曲涛,郁青

春,熊恒,孔祥峰

申请号：CN202011444039.4

申请日

公开号：CN112479163A

公开日

摘要：本发明提供了一种快速除去杂质硒制备高纯二氧化碲粉末的方法，属于冶金技术领域。本

发明将真空密闭立式闪速炉抽至真空状态；以上部进料的方式向所述真空状态的真空密闭立式闪速炉

中加入待提纯碲粉，以下部进气的方式将氧气通入所述真空状态的真空密闭立式闪速炉，所述氧气与

待提纯碲粉在密闭立式闪速炉中形成对流发生气固反应，生成二氧化碲粉末和二氧化硒；所述二氧化

碲粉末在重力的作用下，落入生成物收集仓；所述二氧化硒升华进入挥发物收集仓；所述气固反应的

温度为320～420℃；所述真空状态的压强为2～10Pa。本发明制备二氧化碲粉末流程短、硒去除率

高、效率高、粉尘污染小、成本低、制备的二氧化碲粉纯度大于99.99％。

申请人：昆明理工大学

地址：650093云南省昆明市五华区一二一大街文昌路68号

国籍：CN

代理机构：北京高沃律师事务所

代理人：王术娜

更多信息请下载全文后查看