半导体物理pn结-(pn-junction).pptxVIP

第4章pn结(pnjunction)

·半导体p型层和n型层在原子尺度上的结合称为pn结。

·pn结是几乎一切半导体器件的结构元素。

4.1pn结的形成及其平衡态

4.1.1结的形成及其杂质分布

1、形成方法

1)合金法

Al—Sialloyonn-Siforp+n

Au—Sballoyonp-Siforpn+

合金结的深度对合金过程的温度和时间十分敏感，较难控制

扩散深度x(μm)扩散深度x(μm)

余误差分布高斯分布

2)扩散法(恒定表面杂质浓度和恒定杂质总量两种方法)

C(x,t)(cm⁻³)

C(x,t)(cm⁻³)

3)离子注入法

4)外延法和直接键合法

2、pn结的杂质分布

1)突变结：用合金法、离子注入法、外延法和直接键合

法制备的pn结，高表面浓度的浅扩散结可近似为突变结。

直接键合法制备的突变结是最理想的突变结。

2)线性缓变结：低表面浓度的深扩散结近似为线性缓变结

扩散结线性缓变结近似突变结近似

单边突变结p+n或pn+

NA(x)

ND

N(x)

4.1.2热平衡状态下的pn结

1.pn结的空间电荷区与内建电场的形成

浓度差导致空穴从p区向n区、电子从n区向p区扩散。

空穴离开p区向n区扩散后，留下不可动的带负电的电离受主，在pn结附近的p型侧形成负空间电荷区；同理，电子离开n区向p区扩散后，在pn结附近的n型侧形成由电离施主构成的正空间电荷区，从而产生了从n区指向p区的电场，称为内建电场。在内建电场作用下，载流子作反扩散方向的漂移运动。随着内建电场的升高，载流子的扩散和漂移最终将达到动态平衡。这时空间电荷数量一定，空间电荷区不再继续扩展而保持一定宽度和一定内建电场强度。

1)能带弯曲

由于内建电场从n指向p,空间电荷区电势V(x)由n向p降低，电子的电势能-qV(x)则由n向p升高，即p区能带相对n区上移，直至费米能级处处相等。由于能带弯曲，电子从n区向p区、空穴从p区向n区运动时，各自面临一个势垒。

2、热平衡状态下pn结的能带结构

pn结的形成与能带弯曲

●●··

PN

开始

2)热平衡pn结的费米能级

·在浓度差引起的扩散与扩散产生的自建电场的同时作用下，电子电流

A

由

因为热平衡时Jₙ=0,此结果表明热平衡时

其中

同理，得空穴电流

热平衡时

所以热平衡时pn结两边费米能级持平。

因为热平衡时

3、pn结的接触电势差

因为

若NA=10¹7cm-³,Np=10¹5cm-³,在室温下可以算得pn结接

触电势差Vp对硅为0.7V,对锗为0.32V,对砷化镓为1V。

因为nn₀≈ND,npo≈n;2/NA,所以接触电势差

·接触电势差既然决定于结两侧费米能级的位置，也就是两侧材料掺杂浓度的函数。

·例题：NA=10¹8cm³,Np=5×10¹⁵cm-3,室温下硅pn

的接触电势差V变为0.796V

一个Si突变结的p区和n区掺杂浓度分别为NA=1018cm-³3、Np=5×1015cm-3。计算300K下平衡态费米能级的位置，按计算结果画出能带图并确定势垒高度qV的大小

两式相加得势垒高度qVo=0.796eV

势垒区中电子密度随着电势升高而指数地

从p区的少子水平升高到n区的多子水平。

4、热平衡pn结的载流子分布

·势垒区内点x处的电子密度

p

利用这些公式可以估算pn结势垒区

中各处的载流子密度。例如，势垒区内电势能比n区导带底高0.1eV处的电子密度只有n区杂质浓度的1/50,而该处的空穴密度更低，只有p区掺杂浓度的10-10。因而亦称之为耗尽区。

·势垒区内点x处的空穴密度

§4.2pn结的伏安特性

pn结的伏安特性曲线

基本特点

·1、在正向电压超过一个

微小定值后，正向电流随

电压升高急速增大，进入

低阻状态；

·2、反向电流在反向电压

的很宽变化范围内基本