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电子元件场效应管mtw24n40e.pdfVIP

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  • 2025-06-04 发布于北京
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电子元件场效应管mtw24n40e.pdf

    PreferredDevice

    N−ChannelTO−247

    ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme

    toprovideenhancedvoltage−blockingcapabilitywithoutdegrading

    performanceovertime.Inaddition,thisadvancedPowerMOSFETis

    designedtowithstandhighene

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