微电子概论 试题及答案 共4套.docx

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“微电子概论”试题（一）

答案

1.(20分)名词解释

(1)半导体：简单划分方法是按照导电能力划分。通常将导电能力在导体与绝缘体之间的一类材料称为半导体，其电阻率一般在10-4～109Ω·cm范围。

(2)非平衡载流子：非平衡状态下超出平衡载流子浓度的那一部分载流子电子和空穴称为非平衡态载流子，记为Δn和Δp。

(3)pn结内建电势：处于平衡状态下的pn结存在一个空间电荷区，导致空间电荷区两边中性区之间存在电位差，称为内建电势。

(4)双极晶体管的特征频率：随着工作频率的增加，共射极双极晶体管交流电流放大系数β将会降低。使得β下降为1的频率称为双极晶体管的特征频率。

(5)场效应器件的阈值电压：使得场效应器件开始形成沟道时在栅极上所加的电压称为场效应器件的阈值电压，记为VT

(6)增强型MOSFET与耗尽型MOSFET：栅源电压为零时不存在导电沟道，在栅极施加的电压超过阈值电压才能形成导电沟道的器件称为增强型MOSFET。栅源电压为零时已存在导电沟道的器件称为增强型MOSFET。

(7)EPROM与SRAM：EPROM表示可擦除可编程只读存储器（ErasableProgrammableROM，EPROM），掉电以后，存储的数据保持，可以通过紫外光照方式擦除，通过编程器写入数据，通常，写入数据前需要先擦除；

SRAM代表静态随机存储器（StaticRAM），加电后可以随机读写存储器内容，只要不掉电，存储器内容会一直保持，掉电后数据丢失的存储器。其特点是访问速度快，无需刷新。

(8)IP核与IP软核：IP核指一种预先设计好并且经过验证具有某种确定功能，能够在设计中复用的集成电路部件。

IP软核是以HDL文本的形式提交给用户的IP核，通常采用较高的抽象层次描述功能，经过设计优化和功能验证，并提供电路实现指导。

(9)Fabless公司与Chipless公司

Fabless公司指没有自建加工厂，而是通过代工厂进行芯片加工的集成电路设计公司。

Chipless公司指不提供芯片实物，提供IP核或者协议授权之类集成电路产品的集成电路设计公司。

(10)单片集成电路（MonolithicIC）与混合集成电路（HybridIC）

单片集成电路（MonolithicIC），又称半导体集成电路，是指所有电子元器件在同一半导体材料上制作完成的集成电路。

混合集成电路（HybridIC）是多个同种或者不同质材的电子元器件贴装在同一基板上，通过薄膜/厚膜连接的集成电路。

2.(10分)

(1)为什么本征半导体中空穴浓度等于电子浓度，并且本征载流子浓度随着温度的升高而急剧增加。

(2)如何形成n型半导体？以n型半导体为例，说明什么是多数载流子和少数载流子？

答：

(1)本征半导体中由于热激发作用使得价带中的价电子跃迁到导带成为自由电子，同时在价带产生一个导电空穴，这就是说本征半导体中自由电子和空穴是成对产生的，因此空穴浓度等于电子浓度。

随着温度的升高，热激发作用更加剧烈，使得本征载流子浓度随着温度的升高而急剧增加。

(2)在本征半导体中掺入施主杂质原子就可以形成以电子导电为主的n型半导体。

半导体中存在电子和空穴两种载流子。通常这两种载流子的浓度并不相等。浓度较高的载流子称为多数载流子，浓度较低的载流子称为少数载流子。

对n型半导体，只要掺入的杂质浓度不是太高，在室温下，每个施主杂质原子就能提供一个电子，而施主杂质原子本身成为带正电的杂质离子。由于掺入施主杂质原子只提供电子，并不会同时提供空穴，使得n型半导体中导电电子浓度明显多于空穴浓度。因此n型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

3.(10分)

(1)什么是pn结击穿？

(2)对比说明雪崩击穿和隧道击穿的机理和特点。

答：

(1)pn结的反向电流基本保持不变。但是当反偏电压绝对值达到一定值时，随着反偏电压绝对值的增大出现反向电流急剧增加的现象，称为pn结击穿。

(2)雪崩击穿：反向偏置下，随着反向偏压的增加，势垒区中电场会变得很强，使得电子和空穴在电场加速作用下具有足够大的动能，与势垒区内原子发生碰撞时能把价键上的电子碰撞出来成为导电电子而同时产生一个空穴。新产生的电子、空穴在强电场加速作用下又会与晶格原子碰撞轰击出导电电子和空穴……，这种载流子数迅速增加的现象称为倍增效应。如果这种连锁反应能够无休止的发生，好比雪崩一样，就会引起电流急剧向“无限大”增加，表现为击穿。这种由于碰撞电离发展为“雪崩”导致的击穿现象称为雪崩击穿。

隧道击穿：在一定的反偏电压下，pn结能带图呈现如下图所示特点，即ｐ区价带顶高于ｎ区导带底，这时ｐ区价带电子与ｎ区导带处于同一能量水平。然