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厚子层厚度调控下二硫化钼纳米器件性能的深度解析与优化策略
一、引言
1.1研究背景与意义
随着科技的飞速发展，纳米器件在现代电子学、能源、传感器等众多领域展现出了巨大的应用潜力。其中，基于二维材料的纳米器件由于其独特的物理性质和原子级厚度，成为了研究的热点之一。二硫化钼（MoS?）作为一种典型的二维过渡金属硫化物，具有诸多优异的性能，在纳米器件领域受到了广泛关注。
二硫化钼属于六方晶系，其晶体结构由硫-钼-硫三层原子通过共价键结合形成类“三明治”结构，层间则通过较弱的范德华力相互作用。这种特殊的结构赋予了二硫化钼许多独特的性质。例如，它具有较高的理论比容量，在锂离子电池负极材料
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