MOCVD设备，全球前3强生产商排名及市场份额（by QYResearch）.pdf

全球市场研究报告

MOCVD设备全球市场总体规模

MOCVD（金属有机化学气相沉积）是半导体制造中用于生长高质量化合物半导体晶体层的关键薄膜沉

积技术，例如在硅或蓝宝石等衬底材料上生长氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)。该工艺需要

将挥发性金属有机化合物（例如三甲基镓、三甲基铝）和气态反应物（例如氨、磷化氢）引入加热的反应室。

这些前驱体在高温下分解，释放出原子，这些原子以可控的方式发生反应并沉积在衬底上，形成成分和厚度

精确的薄膜。MOCVD能够以原子级精度沉积多层结构，从而制造复杂的异质结构，使其成为先进半导体应

用中不可或缺的关键技术。该技术具有高度可扩展性，可用于大规模生产，并可根据不同的材料和器件需求

进行优化。

图.MOCVD设备产品图片

资料来源：第三方资料及QYResearch整理研究，2025年

据QYResearch调研团队最新报告“全球MOCVD设备市场报告2025-2031”显示，预计2031年全球

MOCVD设备市场规模将达到10.8亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为7.4%。

MOCVD设备市场驱动力

MOCVD设备市场的核心驱动力主要来自下游应用需求的爆发和技术迭代升级。在LED领域，Mini/Micro

LED显示技术的商业化加速推动设备更新需求，尤其是高精度、大尺寸外延片的制备需求增长；同时，传统

LED照明市场虽趋饱和，但新兴应用（如UVLED、车用照明）仍提供稳定增量。在功率电子领域，新能源

汽车、光伏及储能产业的快速扩张带动了SiC/GaN功率器件的需求，MOCVD作为制备第三代半导体外延的

关键设备，受益于行业向宽禁带材料的转型。此外，5G通信基站和国防射频器件对高性能GaN-on-SiC外

延的需求，进一步刺激设备投资。政策支持（如中国“十四五”半导体产业规划、全球碳中和目标）亦加速

了相关产能扩张，成为长期驱动力。

MOCVD设备市场趋势

未来MOCVD设备将向更高技术壁垒和专业化方向发展：一是设备厂商聚焦大腔体、多片式设计以提高

产能并降低外延片成本，同时提升均匀性和良率（如8英寸SiC外延设备）；二是智能化与工艺优化，通过

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AI实时监控气体流量、温度等参数，减少耗材浪费。市场格局上，行业从LED主导转向SiC/GaN等高端应

用，设备商需适应差异化需求（如AIXTRON针对功率电子推出G10-SiC机型）。区域方面，中国凭借政策

扶持和本土供应链优势（如中微公司、北方华创），逐步打破欧美厂商垄断。长期来看，钙钛矿光伏、量子

点等新兴技术可能成为潜在增长点，但需依赖材料突破和工艺成熟。

图.MOCVD设备，全球市场总体规模

来源：QYResearch电子研究中心

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图.全球MOCVD设备市场前3强生产商排名及市场占有率（基于2024年调研数据；目前最新数据以

本公司最新调研数据为准）

来源：QYResearch电子研究中心。行业处于不断变动之中，最新数据请联系QYResearch咨询。

根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内MOCVD设备生产商包括AIXTRON

Technologies、Veeco、中微公司。2024年，全球前三大厂商占有100%的市场份额。

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图.MOCVD设备，全球市场规模，按产品类型细分，SiC-MOCVD处于主导地位

来源：QYResearch电子研究中心

就产品类型而言，目前SiC-MOCVD是最主要的细分产品，占据大约56.4%的份额。

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图.MOCVD设备，全球市场规模，按应用细分，LED是最大的下游市场，占有65.6%的份额。

来源：QYResearch电子研究中心

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