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半导体工艺岗笔试题目及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体中杂质的存在会（）。

A.降低半导体的导电性

B.不影响半导体性能

C.改变半导体的电学性质

答案：C

2.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）。

A.仅仅是保护作用

B.作为图形转移的媒介

C.散热

答案：B

3.在半导体制造中，扩散工艺主要用于（）。

A.形成绝缘层

B.掺杂杂质原子

C.去除杂质

答案：B

4.以下哪种是常用的半导体材料（）。

A.铜

B.硅

C.铁

答案：B

5.刻蚀工艺中，各向异性刻蚀（）。

A.在各个方向刻蚀速率相同

B.在垂直和水平方向刻蚀速率不同

C.只在水平方向刻蚀

答案：B

6.半导体芯片制造过程中，掺杂浓度越高（）。

A.电阻越大

B.电阻越小

C.与电阻无关

答案：B

7.化学气相沉积（CVD）主要用于（）。

A.形成金属连线

B.生长薄膜

C.清洗晶圆

答案：B

8.半导体晶圆表面的平整度对于（）有重要影响。

A.光刻精度

B.封装

C.运输

答案：A

9.离子注入工艺相比于扩散工艺的优点是（）。

A.可以精确控制掺杂剂量

B.成本低

C.速度快

答案：A

10.在半导体工艺中，退火的目的不包括（）。

A.激活杂质

B.修复晶格损伤

C.增加晶圆厚度