2024年自考专业(计算机应用)全真模拟模拟题标准卷附答案详解.docxVIP

自考专业(计算机应用)全真模拟模拟题

考试时间：90分钟；命题人：教研组

考生注意：

1、本卷分第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟

2、答卷前，考生务必用0.5毫米黑色签字笔将自己的姓名、班级填写在试卷规定位置上

3、答案必须写在试卷各个题目指定区域内相应的位置，如需改动，先划掉原来的答案，然后再写上新的答案；不准使用涂改液、胶带纸、修正带，不按以上要求作答的答案无效。

第I卷（选择题55分）

一、单选题（10小题，每小题5分，共计50分）

1、（单选题）裸机安装了操作系统之后，成为功能强大、使用方便的计算机系统，这种计算机系统被称为（）

A.分布式计算机

B.虚拟计算机

C.并行计算机

D.多处理机

正确答案：B

2、（单选题）以下基类中的成员函数表示纯虚函数的是()

A.virtualvoidtt()=0

B.voidtt(int)=0

C.virtualvoidtt(int)

D.virtualvoidtt(int){}

正确答案：A

3、（单选题）计算机软件系统是指计算机系统中的（）

A.程序

B.数据

C.程序及其数据

D.程序及其文档

正确答案：D

4、（单选题）采用寄存器直接寻址方式的操作数在（）

A.指令中

B.通用寄存器中

C.内存中

D.外存中

正确答案：B

5、（单选题）操作系统底层中唯一知道各种输入输出设备控制器细节及其用途的部分是（）

A.过程控制器

B.通信控制器

C.中断处理程序

D.设备驱动程序

正确答案：D

6、（单选题）为避免页表占用较多存储空间的情况，大多数操作系统采用的进程页表是（）

A.一级页表

B.二级页表

C.反置页表

D.链式页表

正确答案：B

7、（单选题）所谓多态性是指()

A.不同的对象调用不同名称的函数

B.不同的对象调用相同名称的函数

C.一个对象调用不同名称的函数

D.一个对象调用不同名称的对象

正确答案：B

8、（单选题）下列等式中，正确的是____。

A.1KB=1024×1024B

B.1MB=1024B

C.1KB=1024

D.1MB=1024×1024B

正确答案：D

9、（单选题）在可变分区管理中，采用最优适应分配算法时，登记在空闲区表中的空闲区是（）

A.按地址递减顺序排列的

B.按地址递增顺序排列的

C.按长度递减顺序排列的

D.按长度递增顺序排列的

正确答案：D

10、（单选题）假定在一个实时应用系统中，有3个不同优先级，每个优先级上有2个实时进程，当用户有高实时要求时应采用的进程调度算法是（）

A.分级调度算法

B.抢占式最高优先级调度算法

C.时间片轮转调度算法

D.非抢占式最高优先级调度算法

正确答案：B

二、多选题（1小题，每小题5分，共计5分）

1、（多选题）下列有关可变分区管理的说法中，正确的是（）

A.采用可变分区管理主存储器时，主存储器中空闲区的大小一直在变化，但数目不变

B.可变分区管理常采用的内存分配算法包括最先适应、最优适应和最坏适应算法

C.最先适应算法实现简单，但碎片过多使内存空间利用率降低

D.最优适应算法是最好的算法，但后到的较大作业很难得到满足

E.最坏适应算法总是挑选最大的空闲区用于分割，使得剩下的分区仍可使用

正确答案：BCE

第Ⅱ卷（非选择题45分）

三、填空题（5小题，每小题4分，共计20分）

1、（填空题）指令由_______和_______两部分组成。

正确答案：操作码、地址码

2、（填空题）设T为根树，若________，则称T为m元树;若________则称T为完全m叉树。

正确答案：每个结点的出度都小于等于m;除叶子外，每个结点的出度都等于m。

3、（填空题）PHP主要是用于______端的脚本程序，因此可以用PHP来完成任何其它CGl程序能够完成的工作。

正确答案：服务

4、（填空题）主存空间数据相关是相邻两条指令之间出现对主存_______要求_______的关联。

正确答案：同一单元、先写而后读

5、（填空题）一个字节由____位二进制数构成，一个字节简记为____，一个字节可以表示____个信息。

正确答案：8、1B、256

四、判断题（1小题，每小题5分，共计5分）

1、（判断题）根树中最长路径的端点都是叶子。

正确答案：

错误

五、计算题（1小题，每小题10分，共计10分）

1、（计算题）在图所示电路中，已知Rb=260kΩ，Re=RL=5.1kΩ，RS=500kΩ，VEE=12V，β=50，

试求：(1)电路的Q点;(2)电压增益Av、输入电阻Ri及输出电阻Ro;(3)若Vs=200mV，