基于SMIC 0.18μm CMOS工艺的带隙基准源创新设计与性能优化.docx

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2025-06-13 发布于上海
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基于SMIC0.18μmCMOS工艺的带隙基准源创新设计与性能优化

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今高度信息化的时代，集成电路作为现代电子系统的核心组成部分，广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车电子等众多领域，其性能的优劣直接影响着整个电子系统的功能和可靠性。模拟集成电路在信号处理、电源管理、数据转换等方面发挥着不可或缺的作用，而带隙基准源作为模拟集成电路中的关键单元，为其他功能模块提供高精度、高稳定性的电压基准或电流基准，是确保模拟集成电路性能的重要基础。

带隙基准源的主要作用是产生一个与电源电压、温度以及工艺变化无关的稳定基准信号。在模拟电路中，许多功能模块如放大器、比较器、