2024-2025学年自考专业(计算机应用)考前冲刺练习题及参考答案详解AB卷.docxVIP

自考专业(计算机应用)考前冲刺练习题

考试时间：90分钟；命题人：教研组

考生注意：

1、本卷分第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟

2、答卷前，考生务必用0.5毫米黑色签字笔将自己的姓名、班级填写在试卷规定位置上

3、答案必须写在试卷各个题目指定区域内相应的位置，如需改动，先划掉原来的答案，然后再写上新的答案；不准使用涂改液、胶带纸、修正带，不按以上要求作答的答案无效。

第I卷（选择题55分）

一、单选题（10小题，每小题5分，共计50分）

1、（单选题）操作系统底层中唯一知道各种输入输出设备控制器细节及其用途的部分是（）

A.过程控制器

B.通信控制器

C.中断处理程序

D.设备驱动程序

正确答案：D

2、（单选题）假定一个类的构造函数为A(intaa,intbb){a=aa--;b=a*bb;},则执行Ax(4,5);语句后，和的值分别为()

A.3和15

B.5和4

C.4和20

D.20和5

正确答案：C

3、（单选题）按指令流和数据流的多倍性，多处理机属于的系统是（）

A.SISD

B.SIMD

C.MISD

D.MIMD

正确答案：D

4、（单选题）计算机机房的构造、装修必须严格遵守有关消防规定，如建筑耐火等级不应低于()。

A.三级和四级

B.四级和五级

C.五级和六级

D.一级和二级

正确答案：D

5、（单选题）假设外围设备与缓冲区交换信息的时间为T，缓冲区与用户工作区间传送信息所需要的时间为t，用户进程处理信息所需时间为p。若采用双缓冲技术，对每一批信息经读/写处理，所需的时间是

A.max（（T-t),p)+t

B.max（（T-t),p)+T

C.max（（t-T),p)+t

D.max（（t-T),p)+T

正确答案：A

6、（单选题）有N个处理单元的集中式共享存储器的阵列处理机构形，为了对长度为N的向量中各元素能同时并行处理，存储器分体个数K与处理单元数N的关系是()。

A.K与N无关

B.K小于N

C.K小于或等于N

D.K等于或大于N

正确答案：D

7、（单选题）—个16MB的主存储器，按字节编址需要地址线（）

A.14条

B.24条

C.34条

D.44条

正确答案：B

8、（单选题）在标志寄存器中当算术运算结果的最高位发生进位或借位时，下列描述中正确的是（）

A.进位标志位为1

B.奇偶标志位为l

C.辅助进位位为1

D.零标志位为1

正确答案：A

9、（单选题）存储层次构成的主要依据是（）

A.CPU的速度

B.主存器件

C.程序设计语言

D.程序的局部性

正确答案：D

10、（单选题）甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：()。

A.有交越失真

B.易产生自激

C.效率低

正确答案：C

二、多选题（1小题，每小题5分，共计5分）

1、（多选题）在重组企业电子商务流程的过程中，企业组织结构变革呈现的趋势包括（）

A.层次化

B.柔性化

C.网络化

D.团队化

E.专业化

正确答案：BCD

第Ⅱ卷（非选择题45分）

三、填空题（5小题，每小题4分，共计20分）

1、（填空题）适当选择好Cache的容量、块的大小、组相联的_______和组内的_______，可以保证有较高的命中率。

正确答案：组数、块数

2、（填空题）已知一棵无向树T有三个3顶点,一个2度顶点,其余的都是1度顶点,则T中有________个1度顶点。

正确答案：5

3、（填空题）C++中有两种继承：单继承和___。

正确答案：多重继承

4、（填空题）关联一端的类目对另一端的类目的一种呈现，称为____________。

正确答案：角色

5、（填空题）西文字符的编码是____码，用____个字节表示。

正确答案：ASCII、1

四、判断题（1小题，每小题5分，共计5分）

1、（判断题）若G是欧拉图，则其边数e合结点数v的奇偶性不能相反。

正确答案：

错误

五、计算题（1小题，每小题10分，共计10分）

1、（计算题）射极偏置电路如图所示，已知=60。(1)用估算法求Q点;(2)求输入电阻rbe;(3)用小信号模型分析法求电压增益Av;(4)电路其他参数不变，如果要使VCEQ=4V，问上偏流电阻为多大?

正确答案：

六、解答题（1小题，每小题10分，共计10分）

1、（问答题）名词解释：随机存取存储器RAM

正确答案：按地址访问存储单元，各个单元的访问时间是一个常数，与地址无关。