YJ扬杰ALL MOSFET YJB1K1C80BZJ规格说明书.pdf

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人

YJB1K1C80BZJ

”ProductSummary

eVDs800V

@|D5.5A

eRpsoNj(atVcs=10V)1100mQa

ea100%EASTested

6e100%YVpsTested

SGeneralDescription

TopviewBottomVieweExcellentpackageforheatdissipation

DeHighdensitycelldesignforlowRosloN

emMeetsUL94V-0FlammabilityRating

seHalogenFree

TO-263Applications

GePowerswitchingapplication

eUninterruptiblepowersupply

8eDC-DCconvertor

昌Limiringvalues

ParameterConditionsSymbolMinMaxUnit

Drain-sourceVoltageVos-800

Gate-sourceVoltage-3030

Ta=25C,Vcs=10V-1.0

ContinuousDrainCurrent(Note1.2)Steady-State

TA=100C,Vcs=10V|-0.6

Tc=25C,Ves=10V,Chiplimitation-5.5

ContinuousDrainCurrent(Note1,3)Steady-State

Te=100*CVes=10V-3.4

PulsedDrainCurrentTc=25C,tps10hslow-13

MaximumBody-DiodeContinuousCurrent|Tc=25C而5.5

MaximumBody-DiodePulsedCurrentTc=25C,tp10hs至13

AvalancheEnergy(non-repetitive)Ti=25C,Ve=10V,Re=25Q,L=30mH,IAS=2.7AEAS-109.35mJ

TaA=25C3

TotalPowerDissipation(Note1.2)Steady-State

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