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半导体制造技术题库答案

一、选择题

1.以下哪种气体常用于半导体制造中的刻蚀工艺？（）

A.氧气（O?）B.氮气（N?）C.氯气（Cl?）D.氢气（H?）

答案：C

解析：氯气（Cl?）具有强氧化性和活泼的化学性质，在半导体刻蚀工艺中，它能与半导体材料发生化学反应，实现对材料的选择性刻蚀。氧气（O?）常用于氧化工艺；氮气（N?）通常作为保护气体；氢气（H?）主要用于还原等工艺，所以选C。

2.光刻工艺中，光刻胶的主要作用是（）

A.保护硅片表面B.形成电路图案C.提高硅片导电性D.降低硅片表面粗糙度

答案：B

解析：光刻胶是光刻工艺的关键材料，通过光刻曝光和显影等步骤，光刻胶可以将掩膜版上的电路图案转移到硅片表面，从而形成所需的电路图案。它并不主要用于保护硅片表面、提高导电性或降低表面粗糙度，所以选B。

3.化学气相沉积（CVD）工艺中，以下哪种物质可以作为硅源气体？（）

A.四氯化硅（SiCl?）B.氨气（NH?）C.二氧化碳（CO?）D.甲烷（CH?）

答案：A

解析：四氯化硅（SiCl?）在CVD工艺中可以分解并提供硅原子，用于沉积硅薄膜。氨气（NH?）常用于形成氮化硅等；二氧化碳（CO?）一般不用于提供硅源；甲烷（CH?）主要用于提供碳源，所以选A。

4.以下哪种杂质元素在硅中属于P型杂质？（）

A.磷（P）B.砷（As）C.硼（B）D.锑（Sb）

答案：C

解析：在硅半导体中，硼（B）的最外层电子数为3，当它掺入硅中时，会产生空穴，使半导体呈现P型导电特性。而磷（P）、砷（As）、锑（Sb）最外层电子数为5，掺入硅中会产生自由电子，属于N型杂质，所以选C。

5.离子注入工艺中，离子束的能量主要影响（）

A.离子注入的剂量B.离子在硅片中的注入深度C.离子的种类D.离子注入的均匀性

答案：B

解析：离子束的能量越高，离子在硅片中能够穿透的深度就越深。离子注入的剂量主要与注入时间和离子流强度有关；离子的种类由离子源决定；离子注入的均匀性与离子束的扫描方式等因素有关，所以选B。

二、填空题

1.半导体制造中，常用的衬底材料是______，其具有良好的______和______特性。

答案：单晶硅；电学；机械

解析：单晶硅是半导体制造中最常用的衬底材料。它具有良好的电学特性，如可以通过掺杂精确控制导电性；同时具有良好的机械特性，如硬度适中、易于加工等，能够满足半导体制造工艺的要求。

2.光刻工艺主要包括______、______、______和显影等步骤。

答案：涂胶；曝光；烘烤

解析：光刻工艺首先要在硅片表面均匀涂覆光刻胶，然后进行曝光，使光刻胶在光照下发生化学反应，接着进行烘烤来稳定光刻胶的性能，最后进行显影，去除不需要的光刻胶部分，从而将掩膜版上的图案转移到硅片上。

3.化学机械抛光（CMP）工艺的主要作用是______和______。

答案：全局平坦化；局部平坦化

解析：CMP工艺通过化学和机械的协同作用，对硅片表面进行抛光。它可以实现全局平坦化，使整个硅片表面达到平整的状态；同时也能进行局部平坦化，消除硅片表面微小的高低起伏，为后续的工艺步骤提供良好的表面条件。

4.半导体封装的主要目的是______、______和______。

答案：保护芯片；电气连接；散热

解析：半导体封装可以保护芯片免受外界环境的影响，如灰尘、湿气、机械损伤等；通过引脚等结构实现芯片与外界电路的电气连接；同时还能将芯片产生的热量散发出去，保证芯片的正常工作。

5.热氧化工艺中，干氧氧化和湿氧氧化相比，______氧化速率快，但______氧化层质量好。

答案：湿氧；干氧

解析：湿氧氧化过程中，水汽参与反应，加速了氧化速率。但干氧氧化由于反应环境相对纯净，生成的氧化层结构致密、质量好，具有更好的电学性能和抗击穿能力。

三、判断题

1.半导体制造中，所有工艺步骤都必须在洁净室中进行。（）

答案：正确

解析：半导体制造对环境要求极高，微小的灰尘颗粒等污染物都可能导致芯片失效。洁净室可以有效控制空气中的尘埃粒子、温度、湿度等环境因素，保证半导体制造工艺的稳定性和可靠性，所以所有工艺步骤通常都要在洁净室中进行。

2.光刻工艺中，曝光波长越短，所能实现的最小特征尺寸越小。（）

答案：正确

解析：根据光刻分辨率的瑞利公式，分辨率与曝光波长成正比。曝光波长越短，光刻系统能够分辨的最小特征尺寸就越小，从而可以制造出更小尺寸的集成电路，提高芯片的集成度，所以该说法正确。

3.离子注入工艺可以精确控制杂质的浓度和分布，但会对硅片晶格造成损伤。（）

答案：正确

解析：离子注入工艺通过精确控制离子的能量、剂量和