高分子物理模拟考试题及答案（附解析）.docxVIP

高分子物理模拟考试题及答案（附解析）

一、单选题（共100题，每题1分，共100分）

1.测定聚苯乙烯的数均相对分子质量，应采用的方法是（）。

A、膜渗透压法

B、黏度法

C、沉降平衡法

正确答案：A

答案解析：膜渗透压法常用于测定数均相对分子质量。黏度法测得的是黏均相对分子质量；沉降平衡法主要用于测定高分子的相对分子质量及其分布等，但不是测定数均相对分子质量最常用的方法。而膜渗透压法是基于稀溶液的依数性原理，通过测量渗透压来计算数均相对分子质量，是测定数均相对分子质量的经典方法之一。

2.聚合物从熔体中结晶，得到的结晶形态最有可能是()。

A、伸直链晶

B、树枝状晶

C、单晶

D、球晶

正确答案：D

答案解析：球晶是聚合物从熔体中结晶时最常见的结晶形态。聚合物熔体冷却结晶过程中，分子链活动能力较强，容易形成以一个晶核为中心，呈球状生长的球晶。单晶通常是在极稀溶液中缓慢结晶得到；树枝状晶一般在特定条件如快速冷却等情况下形成；伸直链晶通常在高温高压等特殊条件下才能生成，相比之下，从熔体中结晶最可能得到的是球晶。

3.以下哪个专业术语是“structuralrepeatunit”的中文解释。（）

A、熔融指数

B、Boltzmann原理

C、重复结构单元

D、次级松弛

正确答案：C

答案解析：“structuralrepeatunit”的常见释义为“重复结构单元”。选项A“熔融指数”英文是“MeltIndex”；选项B“Boltzmann原理”英文是“Boltzmannprinciple”；选项D“次级松弛”英文是“secondaryrelaxation”。

4.当一个聚合物稀溶液从θ温度上升10℃时，其第二维利系数A2：（）。

A、小于1/2

B、大于1/2

C、大于零

D、小于零

正确答案：C

答案解析：聚合物稀溶液在θ温度时，第二维利系数A2=0。当温度上升到θ温度以上时，溶剂化作用增强，高分子链段间的相互作用减弱，高分子链趋于伸展，溶液的非理想性增加，A2大于零。

5.以下哪个专业术语是“viscousstate”的中文解释。（）

A、玻璃态

B、黎流态

C、高弹态

D、诱导力

正确答案：B

答案解析：“viscousstate”常见释义为“黏流态”，与选项B“黎流态”表述相近。选项A“玻璃态”英文是“glassstate”；选项C“高弹态”英文是“rubberystate”；选项D“诱导力”英文是“inducedforce”。

6.以下哪个专业术语是“degradationreaction”的中文解释。（）

A、解聚反应

B、降解反应

C、氧化降解反应

D、光降解

正确答案：B

答案解析：“degradationreaction”常见释义为“降解反应”。解聚反应一般是“depolymerizationreaction”；氧化降解反应是“oxidativedegradationreaction”；光降解是“photodegradation”。

7.以下哪个专业术语是“macromolecule”的中文解释。（）

A、解聚反应

B、粘弹性

C、高分子

D、高聚物

正确答案：C

答案解析：“macromolecule”常见释义为“高分子”。选项A“解聚反应”英文是“depolymerizationreaction”；选项B“粘弹性”英文是“viscoelasticity”；选项D“高聚物”英文是“polymer”。

8.一般来说，随着高聚物分子量的增大，其熔点将（）。

A、增高

B、基本不变

C、降低

正确答案：B

9.指数方程中，在非牛顿性指数（）时，聚合物熔体为假塑性流体。

A、n﹥1

B、n=1

C、n﹤1

正确答案：B

10.同一高分子样品测定相对分子质量，以下结果哪个正确。（）

A、黏度法大于光散射法

B、VPO大于黏度法

C、黏度法大于端基分析法

正确答案：C

答案解析：端基分析法测定的是聚合物中可分析基团的数目来推算相对分子质量，其测定结果一般是数均相对分子质量，适用于相对分子质量较小、结构简单、端基明确的聚合物。黏度法测定的是黏均相对分子质量，光散射法测定的是重均相对分子质量，VPO是蒸气压渗透法，测定的也是数均相对分子质量。一般来说，重均相对分子质量大于黏均相对分子质量大于数均相对分子质量，所以光散射法测得的结果大于黏度法大于端基分析法，选项[C、]正确。

11.以下哪个专业术语是“neck”的中文解释。（）

A、细颈

B、强度

C、应力

D、泊松比

正确答案：A

答案解析：“neck”常见释义为“脖子”“颈部”，在一些专业领域也可表示“细颈”，选项A符合；选项B“强度”常见的英文是“strength”；选项C“