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氧化锌掺Ba的电子结构与性能演变：理论与实验探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学领域，半导体材料凭借其独特的电学、光学和化学性质，成为推动众多高新技术发展的关键基础。氧化锌（ZnO）作为一种具有重要应用价值的宽禁带半导体材料，在过去几十年中受到了广泛的研究关注。

ZnO具有一系列优异的物理性质。它的晶体结构属于六方晶系纤锌矿结构，这种结构赋予了ZnO良好的稳定性和独特的物理特性。其室温下的直接带隙宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV，这使得ZnO在短波长光电器件应用中表现出巨大的潜力。例如，在紫外发光二极管（UV-LED）的制造中，ZnO能够高