双极结型三极管及放大.pptxVIP

4双极结型三极管及放大电路基础4.1BJT4.3放大电路的分析方法4.4放大电路静态工作点的稳定问题4.5共集电极放大电路和共基极放大电路4.2基本共射极放大电路4.6组合放大电路4.7放大电路的频率响应

4.1双极型三极管BJT一个PN结二极管单向导电性二个PN结三极管电流放大（控制）

4.1.1BJT的结构简介(a)小功率管(b)小功率管(c)大功率管(d)中功率管分类：按频率分有高频管、低频管按功率分有小、中、大功率管按材料分有硅管、锗管按结构分有NPN型和PNP型

三极管的不同封装形式金属封装塑料封装大功率管中功率管

半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。4.1.1BJT的结构简介1.NPN型NPN管的电路符号

PNP型PNP管的电路符号

正常放大时外加偏置电压的要求01问：若为PNP管，图中电源极性如何？02发射区向基区注入载流子03集电结应加反向电压（反向偏置）04发射结应加正向电压（正向偏置）05集电区从基区接受载流子06放大状态下BJT的工作原理07

2.电子在基区中的扩散与复合（IBN）3.集电区收集扩散过来的电子（ICN）另外,基区集电区本身存在的少子，在集电结上存在漂移运动，由此形成电流ICBO三极管内有两种载流子参与导电，故称此种三极管为双极型三极管，记为BJT(BipolarJunctionTransistor)1.发射区向基区注入电子（IEN、IEP小）1.三极管内载流子的传输过程

放大状态下BJT中载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子

2.电流分配关系根据传输过程可知IC=INC+ICBO通常ICICBO?为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般?=0.9?0.99。IE=IB+IC放大状态下BJT中载流子的传输过程所以IC=?IE+ICBO

?是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般?1。又：把IE=IB+IC代入IC=?IE+ICBO且令ICEO=(1+?)ICBO（穿透电流）整理得：

三极管的三种组态共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；BJT的三种组态

共基极放大电路4.放大作用若?vI=20mV电压放大倍数使?iE=-1mA，则?iC=??iE=-0.98mA，?vO=-?iC?RL=0.98V，当?=0.98时，共基极放大电路只实现电压放大，电流不放大（控制作用）

三极管的放大作用,主要是依靠它的IE能通过基区传输,然后顺利到达集电极而实现的。故要保证此传输,一方面要满足内部条件,即发射区掺杂浓度要远大于基区掺杂浓度,基区要薄;另一方面要满足外部条件,即发射结正偏,集电结要反偏。输入电压的变化,是通过其改变输入电流,再通过输入电流的传输去控制输出电压的变化,所以BJT是一种电流控制器件。两个要点

输入特性曲线输出特性曲线4.1.3BJT的V-I特性曲线特性曲线是指各电极之间的电压与电流之间的关系曲线

iB=f(vBE)?vCE=const.(2)当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下iB减小，特性曲线右移。(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。1.输入特性曲线（以共射极放大电路为例）共射极连接管子正常工作时，0.7V(硅管）－0.2V(锗管）

饱和区：vCE很小，iC??iB，三极管如同工作于短接状态，一般vCE?vBE，此管压降称为饱和压降。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。iC=f(vCE)?iB=const.2.输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:截止区：iB=0，iC＝iCEO?0，三极管如同工作于断开状态，此时，vBE小于死区电压。放大区：vBEVth，vCE反电压大于饱和压降，此时，发射结正偏，集电结反偏。再次注意：管子正常工作时，0.7V(硅管）－0.2V(锗管）

4.1.4BJT的主要参数(1)共射极直流电流放大系数=（IC－ICEO）/IB≈IC/IB?vCE=const.1.电流放大系数与iC的关系曲线(2)共射极交流电流放大系数??=?iC/?iB?vCE=const.在iC一定范围内为常数

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