2025第三代半导体产业链研究报告.docx

2025行业研究系列报告

全球半导体竞争新战场，国产生态逐步成型

2025

2025年4月

关于深企投产业研究院

深企投产业研究院是深企投集团旗下的高端智库，聚焦产业发展，服务区域经济，致力于为各地提供产业发展落地方案。研究院总部位于深圳，服务区域覆盖全国主要省市。研究院集聚一批经济研究和产业研究专家，以985院校研究生为主体，链接高校专家学者，为全国各地政府及机构提供智力支持。

基于自身的研究和咨询能力，同时借助集团的服务网络，深企投产业研究院为政府机构、国有平台、产业园区、金融机构等客户类型提供有针对性的服务。

——政府机构客户。研究院重点提供五类服务：一是五年规划，包含发改系统的国民经济和社会发展总体规划，工信、商务、投促、文旅等政府部门的专项五年规划；二是产业规划，包含地区、片区的产业定位和产业发展专项规划；三是招商专题研究，包括产业链招商策略、招商规划、招商专案、招商图谱等；四是项目策划，发掘和策划包装契合区域禀赋、产业趋势和投资方向的项目，助力宣传推介和精准招商对接，或策划申报超长期国债等地方重点投资项目；五是项目评估，涵盖地方重点投资项目的风险评估、招商引资项目背景调查、产业基金拟投资项目尽职调查等。

——国有平台客户。针对新时期全国各地国有城投、产投公司向国有资本投资运营转型发展的需要，聚焦国有平台投资布局的新质生产力和重点产业赛道，研究院提供产业情报、产业发展规划、企业投资标的尽职调查等服务。

——产业园区客户。为国有园区、工业地产客户提供园区产业规划定位、产品定价策略、产品设计方案、招商运营服务方案、渠道和品牌推广策略、产业培训等服务。

——金融机构客户。为机构投资者提供产业细分领域深度研究、投资分析、标的尽职调查等服务，减少投资过程中的信息不对称，提高投资决策准确率。

自2020年至今，深企投产业研究院团队已完咨询服务项目近百个，完成研究报告数百份，服务的地区包括广东、江苏、浙江、福建、广西、云南、贵州、湖北、四川、陕西、宁夏等多个省市。

在产业研究领域，深企投产业研究院在新质生产力、战略性新兴

在产业研究领域，深企投产业研究院在新质生产力、战略性新兴产业、未来产业研究上具有深厚积累，每年发布原创深度报告近百份。有关低空经济、商业航天、卫星互联网、新型储能、人形机器人、生物制造、脑机接口、全球供应链等报告已获得广泛传播。

第三代半导体概览

·深企投产业研究2025年行业研究报告·

一、半导体发展历程

半导体行业，基于核心材料特性的不同，划分为第一代半导体、第二代半导体和第三代半导体，其中第二代半导体和第三代半导体又统称为“化合物半导体”。

第一代半导体，指的是主要以硅（Si）和锗（Ge）为材料制造的半导体。20世纪50年代，锗凭借在低电压、低频率、中功率晶体管及光电探测器中的应用主导半导体市场，但因耐高温与抗辐射性能不足，于60年代末被硅材料取代。硅半导体材料具有耐高温、抗辐射的特征，且高纯度溅射二氧化硅（SiO2）薄膜的应用显著提升了其稳定性与可靠性，如今硅已成为最主流的半导体材料。

第二代半导体，以化合物半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为主要代表制造的半导体元器件。第二代半导体材料发明于20世纪80年代，相较于第一代硅基材料，由于其禁带略宽、电子迁移率高且具有直接带隙结构，使其在高频信号处理以及光电子领域具有更优越的性能。随着信息技术和互联网的发展，第二代半导体材料在卫星通信、移动通信、光通信和GPS导航等领域得到了广泛应用。但是，砷化镓和磷化铟材料的稀缺性和高成本，以及它们的毒性和环境污染问题，限制了这些材料的进一步应用。

第三代半导体，是指使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石（C）、氧化锌（ZnO）等宽禁带材料制造的半导体，目前市场上主要集中在碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）两个领域。与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的

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击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，是功率半导体性能升级的主要选择。其中，碳化硅（SiC）器件具备耐高压、低损耗和高频三大优势，可以满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求，广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域；氮化镓（GaN）器件具备高开关频率、耐高温、低损耗等优势，可用于制作功率、射频、光电器件，广泛应用于消费电子、新能源车、国防、通信等领域。

表1三代半导体材料物理性能和应用特点

物理属性

第一代

第二代

第三代

Si

GaAs

4H-SiC

GaN

禁带宽度（eV）

1.12