T CIET 1282—2025 反应烧结碳化硅 碳化硼陶瓷板技术要求.pdfVIP

ICS81.060.30

CCSQ32

T/CIET

团体标准

T/CIET1282—2025

反应烧结碳化硅/碳化硼陶瓷板技术要求

Technicalrequirementsforreaction-sinteredsiliconcarbide/boroncarbideceramic

plates

2025-05-14发布2025-05-14实施

中国国际经济技术合作促进会  发布

T/CIET1282—2025

反应烧结碳化硅/碳化硼陶瓷板技术要求

1范围

本文件规定了反应烧结碳化硅/碳化硼陶瓷板的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运

输和贮存等内容。

本文件适用于反应烧结碳化硅/碳化硼陶瓷板。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T6569精细陶瓷弯曲强度试验方法

GB/T16534精细陶瓷室温硬度试验方法

GB/T25995精细陶瓷密度和显气孔率试验方法

GJB179A计数抽样检验程序及表

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

反应烧结碳化硅reaction-bondedSiC

由细颗粒α-SiC和添加剂成素坯，在高温下与硅接触，坯体中的碳与渗入的Si反应，生成β-SiC，

并与α-SiC相结合，游离硅和β-SiC填充了气孔，从而得到高致密性的陶瓷材料。

3.2

反应烧结碳化硼reaction-bondedBC4

以碳化硼粉体为基础材料，添加适量的碳、碳化硅等组分压制成型的素坯，在一定的温度下素坯中

的碳与硅反应生成β-SiC，同时与素坯中的碳化硼、碳化硅晶相结合，气相和液相的硅渗入空隙，形成

高致密的陶瓷材料。

4技术要求

4.1力学性能

力学性能应符合表1的规定。

表1陶瓷板力学性能

密度维氏硬度抗弯强度

材质3

g/cmHv0.5MPa

反应烧结碳化硅≥3.0≥2200≥300

反应烧结碳化硼≥2.55≥2800≥300

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4.2扭曲变形量

4.2.1反应烧结碳化硅扭曲变形量不应大于5%。

4.2.2反应烧结碳化硼扭曲变形量不应大于5%。

4.3尺寸及公差

4.3.1产品尺寸及公差：厚度≤±0.2mm，宽度≤±1.5mm，长度≤2mm，或符合产品技术文件、图样

的具体规定。

4.3.2反应烧结碳化硼陶瓷对角尺寸偏差不应大于0.8mm，厚度尺寸偏差不应大于0.2mm。

4.3.3人体防护陶瓷常规尺寸见表2。

表2人体防护用陶瓷尺寸