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集成电路设计基础第二章IC;第二章IC制造材料结构与理;2.1了解集成电路材料*半导;2.1.1硅(Si)*基;2.1.2砷化镓(GaAs;2.1.3 磷化铟(InP);2.1.4绝缘材料*IC系;2.1.5金属材料金属材料有;IC制造用金属材料*铝，铬，钛;铝（Al）*要减小连线电阻，采;铝合金*在纯金属不能满足一些重;铜(Cu)*因为铜的电阻率为1;金与金合金*应用领域要求IC所;不同材料之间的互连*肖特基型接;两层与多层金属布线*VLSI至;0.35umCMOS工艺的多;IC设计与金属布线*多数情况下;2.1.6多晶硅*多晶硅与单;多晶硅的制造技术*多晶硅层可用;2.1.7材料系统*材料系统;半导体材料系统*半导体材料系统;半导体/绝缘体材料系统*半导体;第二章IC制造材料结构与理;2.2.1半导体的晶体结构*;2.2.2本征半导体与杂质半;杂质半导体*根据掺入杂质性质的;第二章IC制造材料结构与理;2.3.1PN结的扩散与漂移;平衡状态下的PN结*正负离子形;2.3.2PN结型二极管*;2.3.3肖特基结二极管*基;2.3.4欧姆型接触*在半导;第二章IC制造材料结构与理;2.4双极型晶体管基本结构与;电流放大作用*发射结的注入1;2.5MOS晶体管的基本结构;MOS晶体管的工作原理*如果没;阈值电压VT*01引起沟道区;改变阈值电压*对NMOS晶体;三个工作区域*沟道不再伸展到漏;三个表达式*描述NMOS器件性;N型MOS管与P型MOS管的电;输出电阻和跨导*线性区等效输出;本章练习题*AGaAs和InP
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