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第四章光电信息技术上一张章首下一张结束节首目录光纖感測器§4.4.1元件型光纖感測器一、微彎損耗光纖感測器基於微彎損耗機理的強度調製型感測器的結構如圖4.4.1-1所示。光輸入光輸出變形器多模光纖LΛ圖4.4.1-1微彎損耗光纖感測器原理設光纖的微彎變形函數為正弦型根據光纖模式理論,可得到微彎損耗係數α的近似運算式:式中D(t)——外界信號導致的彎曲幅度;q——空間頻率;z——變形點到光纖入射端的距離;式中K——比例係數;△β——光纖中光波傳播常數差;L——光纖中產生微彎變形的長度;α與光纖彎曲幅度D(t)的平方成正比,彎曲幅度越大,模式耦合越嚴重,損耗就越高。α與光纖彎曲變形的長度成正比,作用長度越長,損耗也越大。α與光纖微彎週期有關,當q=△β時產生諧振,微彎損耗最大。根據光纖模式理論,可得到微彎損耗係數α的近似運算式:二、干涉式光纖感測器光波通過長度為l的光纖,其相位延遲為微分得:第一項表示光纖長度變化引起的相位差(應變效應或熱脹效應)第二項為光纖折射率變化引起的相位差(光彈效應或熱光效應)第三項為光纖芯徑變化引起的相位差(泊松效應)。相位信號解調的雙光束光纖干涉儀有邁克爾遜(Michlson)干涉儀、馬赫-陳德爾(Mach-Zehnder)干涉儀及斐索(Fizeau)干涉儀。光源探測器信號臂參考臂3dB(a)邁克爾遜干涉儀光源信號臂參考臂3dB探測器3dB(b)馬赫-陳德爾干涉儀現以雙光束干涉儀為例來分析干涉場。設信號光與參考光的場強分別為:兩光束相干產生的干涉場分佈為相應的光強分佈為四、法拉第電流感測器法拉第電流感測器是利用光纖的磁光效應實現電流測量的,屬於偏振調製型。磁光效應,又稱法拉第(Faradag)效應,是指某些物質在外磁場的作用下,使通過它的線偏振光的偏振方向發生偏轉。設法拉第材料的長度為l,沿長度方向施加的外磁場強度為H,則線偏振光通過它後偏振方向旋轉角度為應用--高壓傳輸線用的電流感測器圖4.4.1-4基於光纖磁光效應的電流感測器將光纖繞在被測導線上,設圈數為N,導線中通過的電流為I,由安培環路定律,距導線軸心為R處的磁場為P2WPI1-I2I1+I2探測器1探測器2I1I2光源光纖IP1由以上兩式可得偏轉角繞在導線上的光纖長度為:l=2πRN,代入上式得通過光纖的光偏振面偏轉角與被測電流及光纖的匝數成正比,與光纖圈半徑大小無關。由於探測器不能直接檢測光的偏振態,需要將光偏振態的變化轉換為光強度信號。一種檢測方法採用Wollaston棱鏡WP。探測器1與探測器2接收的光強信號分別為經信號處理可得到偏振面的偏轉角
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