GB/T 45720-2025半导体器件　栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验.pdf

ICS31.080.01

CCSL55

中华人民共和国国家标准

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GBT457202025IEC623742007

半导体器件栅介质层的时间相关

介电击穿()试验

TDDB

—()

SemiconductordevicesTimedeendentdielectricbreakdownTDDB

p

testforatedielectricfilms

g

(:,)

IEC623742007IDT

2025-05-30发布2025-09-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

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GBT457202025IEC623742007

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4试验设备…………………3

5试验样品…………………3

5.1通则…………………3

()……………

5.2测试结构电容器结构3

5.3面积…………………3

6步骤………………………4

6.1概述…………………4

6.2预测试………………4

6.3试验条件……………5

6.4判据…………………5

7寿命时间估算……………7

7.1概述…………………7

7.2加速模型…