传感器与检测技术第六章.pptxVIP

30六月2025第6章霍尔传感器

30六月20256.2霍尔传感器的测量转换电路26.1霍尔传感器的工作原理16.3霍尔传感器的应用3目录

教学目标能够使用常用仪器检查霍尔传感器性能，判别其好坏。能够运用所学知识设计制作基本检测单元模块电路。能够对制作的模块电路进行简单的测试。技能目标：了解霍尔元件的结构和不同参数。掌握霍尔传感器的工作原理及测量转换电路。熟悉霍尔传感器在工程上的应用。知识目标：贰壹

教学重难点30六月2025养成良好的工作责任心、坚强的意志力和严谨的工作作风。具有工作与学习良好的交流与团队合作能力。情感目标：霍尔传感器的工作原理和应用。教学重点：霍尔传感器的测量电路。教学难点：

（a）外形结构（b）图形符号图6-1霍尔元件6.1霍尔传感器的工作原理6.1.1霍尔效应霍尔元件是一种半导体四端薄皮，1、1′端称为激励电流端，2、2′端称为霍尔电动势的输出端，其中2、2′端一般应处于霍尔元件侧面的中点

图6-2霍尔效应的原理当把霍尔元件置于磁感应强度为B的磁场中时，磁场方向垂直于霍尔元件，当有电流I流过霍尔元件时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生感应电动势EH，这种现象称为霍尔效应

霍尔效应演示30六月2025cdab当磁场垂直于元件时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在霍尔元件c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。

流入霍尔元件激励电流端的输入电流I越大，作用在霍尔元件上的磁感应强度B就越强，霍尔电动势EH也就越高。霍尔电势EH可用下式表示：EH=KHIBI——控制电流（A）B——磁感应强度（T）KH——霍尔元件的灵敏度

霍尔元件灵敏度的表达式为式中，RH为霍尔常数；d为霍尔元件的厚度（m）。RH=ρμ（6-3）式中，ρ为霍尔元件所用材料的电阻率；μ为霍尔元件所用材料载流子的迁移率。（6-2）霍尔常数的表达式为12345

磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度?时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍尔电势为EH=KHIBcos?结论：霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正比，且当B的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场，则霍尔电势为同频率的交变电势。

6.1.2霍尔元件主要参数当霍尔元件自身的温度升高10℃时，流过自身的激励电流称为额定激励电流，用符号Ic表示。由于霍尔电势随激励电流增大而增大，故在应用中总希望选用较大的激励电流。但激励电流增大，霍尔元件的功耗增大，元件的温度升高，从而引起霍尔电势的温漂增大，因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流Im，它的数值从几毫安至十几毫安不等。以下哪一个激励电流的数值较为妥当？5μA0.1mA2mA80mA1.额定激励电流和最大允许激励电流

No.1输入电阻和输出电阻No.2输入电阻Ri是指霍尔元件两个激励电流端的电阻。输出电阻Ro是两个霍尔电动势输出端之间的电阻。输入电阻和输出电阻的阻值从几十欧姆到几百欧姆。

3.不等位电势和不等位电阻3.不等位电势和不等位电阻不等位电动势是指当霍尔元件在额定激励电流下，当外加磁场为零时，霍尔元件输出端之间的开路电压，用符号UM表示。产生这一现象的原因有:①霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上;②半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀;③激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。不等位电势也可用不等位电阻表示

4.寄生直流电动势当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出有一个寄生直流电动势，它主要是由控制电极和基片之间的非完全欧姆接触所产生的整流效应造成的。5.霍尔电动势的温度系数霍尔电动势的温度系数α是指在一定磁感应强度和控制电流下，温度每变化1℃，霍尔电动势的变化率。

6.2霍尔传感器的测量转换电路通过霍尔传感器的额定激励电流为6.2.1霍尔传感器的基本电路

图6-5霍尔传感器的偏置电路串联电阻无外接偏置电阻（b）有外接偏置电阻（c）电源负极与霍尔元件之间

6.2.2霍尔传感器的集成电路霍尔传感器的集成电路具有体积较小、灵敏度高、输出幅度较大、温漂小、对电源的稳定性要求较低等优点，它可分为线性型霍尔传感器的集成电路和开关型霍尔传感器的集成电路。

1.线性型霍尔传感器的集成电路线性型霍尔传感器的集成电路的内部电路是将霍尔元件、恒流源、线性差动放大器制作在同一个芯片上，输出电压的单位为V，比直接使用霍尔元件要方便很多。比较典型的线性型霍尔传感器