现代传感技术与应用 课件全套 潘雪涛 第1--11章 传感器技术的基本概念---工业自动化仪表与现代检测系统设计.ppt

（3）误差平均效应莫尔条纹是由大量栅线（常为数百条）共同形成的，对光栅的刻划误差有平均作用，能在很大程度上消除栅距的局部误差和短周期误差的影响。个别栅线的栅距误差或断线及疵病对莫尔条纹的影响很小。若单根栅线位置的标准差为σ，莫尔条纹由n条栅线形成，则条纹位置的标准差为7.5.3辨向和细分技术1.辨向技术为了辨别方向，通常采用在相距的位置上设置两个光电元件，以获得相位差为90?的两个信号。相距B/4的两个光电元件辨向电路原理图辨向电路各点波形2.细分技术通常，光栅传感器的测量分辨率等于一个栅距。但是，在精密检测中，常常需要测量比一个栅距更小的位移量。为了提高分辨率，一般可以采用以下两种方法实现：一是通过增加刻线密度来减小栅距，但是这种方法受光栅刻线工艺的限制；二是采用细分技术，使光栅每移动一个栅距时输出均匀分布的脉冲，从而得到比栅距更小的值，以此来提高分辨率。细分的方法有多种，如直接细分、电桥细分、锁相细分、调制信号细分、软件细分等。直接细分又称位置细分，常用的细分数为4，因此也称为四倍频细分。使用中，采用4个依次相距B/4的光电元件，在莫尔条纹的一个周期内就会产生均匀分布的4个计数脉冲，再送到可逆计数器进行加法或减法计数，这样可将分辨率提高4倍。（a）未细分波形；（b）细分后的波形7.6光固态图像传感器光固态图像传感器是高度集成的半导体光电传感器，它可以在一个器件上完成光电信号转换、传输和处理，具有体积小、重量轻、分辨率高、寿命长等优点，在工业生产中得到了广泛应用。光固态图像传感器由光敏元件阵列和电荷转移器件集合而成，它的核心是电荷转移器件CTD（ChargeTransferDevice），主要有五种类型，分别是电荷耦合器件（CCD）、电荷注入器件（CID）、金属-氧化物-半导体MOS型、电荷引发器件（CPD）和层叠型成像器件，其中CCD应用最为广泛。7.6.1CCD的结构和工作原理1.CCD的结构电荷耦合器件（CCD）是由若干个电荷耦合单元组成。CCD的最小单元是在P型（或N型）硅衬底上生长一层厚度约为120nm的SiO2，再在SiO2层上依次沉积铝电极而构成MOS结构元。将MOS阵列加上输入、输出端，便构成了CCD。2.工作原理（1）电荷的生成CCD是以电荷作为传输信号进行工作的。由半导体原理可知，当在金属电极上施加一正电压时，在电场的作用下，电极下面的P型硅区域里的空穴将被赶尽，从而形成耗尽区。也就是说，对带负电的电子而言，这个耗尽区是一个势能很低的区域，称为“势阱”。当一束光照射到MOS结构元上，衬底中处于价带的电子吸收光子的能量产生电子跃迁，形成电子－空穴对。电子－空穴对在外加电场的作用下，分别向电极两端移动，这就是光生电荷。这些光生电荷将被附近的势阱所吸收（或称俘获），并贮存在势阱中。此时，势阱内所吸收的光生电子数量与入射到势阱附近的光强成正比，这样的一个MOS结构元就称为光敏元，或称为一个像素，而一个势阱所收集的若干光生电荷则称为一个电荷包。势阱能够贮存的最大电荷量又称之为势阱容量，它与所加电压近似成正比。势阱容纳的电荷多少和该处照射光的强弱成正比。通常在半导体硅片上制有几百个或几千个相互独立的MOS元，它们按线阵或面阵有规则地排列。如果在金属电极上施加一正电压，则在这个半导体硅片上就会形成几百个或几千个相互独立的势阱。如果照射在这些光敏元上的是一幅明暗起伏的图像，这些光敏元上就会感生出一幅与光照强度相对应的光生电荷图像。这就是CCD工作的基本原理。（2）电荷的传输控制相邻MOS元栅极的电压高低可以调节势阱的深浅，使相邻MOS元的势阱能够相互耦合，就可使信号电荷由势阱浅处流向势阱深处，实现信号电荷的转移。为了让信号电荷按规定的方向转移，可在MOS元阵列上加载满足一定相位要求的驱动时钟脉冲电压，这样在任何时刻，势阱的变化总是朝着一个方向。为了实现这种定向的转移，在CCD的MOS阵列上划分成以几个相邻MOS电荷为一单元的无限循环结构。每一单元称为一位，将每一位中对应位置上的栅极分别连到各自共同的电极上，此共同电极称为相线。通常CCD有二相、三相、四相等几种结构，它们所施加的时钟脉冲也分别为二相、三相、四相。二相脉冲的两路脉冲相位相差180°，三相脉冲及四相脉冲的相位差分别为120°及90°。当这种时序脉冲加到CCD的无限循环结构上时，将实现信号电荷的定向转移。电荷的传输原理7.6.2CCD的分类CCD图像传感器按其像素的空间排列可分为两大类，