基于电解质栅控In2O3晶体管的人工突触研究.pdfVIP

摘要

近年来，冯·诺伊曼瓶颈对传统计算结构提出了前所未有的挑战，存储器与处

理器之间特定数据传输速度所带来的存储容量限制和高成本问题亟需解决。相比之

下，人脑具有高效和并行数据处理的优势，这促使科学家探索利用物理过程和功能

材料来开发模拟人脑结构和功能的仿生突触装置。因此，能够模拟突触学习和记忆

行为的三端晶体管越来越引起研究人员的兴趣。其中电解质栅控晶体管

（Electrolyte-gatedtransistors，EGTs）由于其兼容性和可扩展性而获得了极大的关

注。本研究采用简单、快速且低成本的溶液技术制备固态电解质和液态电解质作为

介电层的电解质栅控双电层突触晶体管，并成功实现了生物突触可塑性的模拟和神

经形态方面的计算，主要工作内容如下：

（1）制备了由AlO/InO和AlLiO/InO两种固态电解质栅控的突触晶体管。

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研究表明后者比前者具有更大的滞后窗口，有利于后续神经形态计算，使用该器件

进行后续突触行为模拟和神经形态计算。通过双电层效应（Electricaldoublelayer，

EDL）和电化学掺杂（Electrochemicaldoping，ECD）的协同作用，在AlLiO/InO

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突触晶体管中实现了兴奋性突触后电流（Excitatorypostsynapticcurrents，EPSC）、

双脉冲易化（Paired-pulsefacilitation，PPF）、脉冲时间依赖可塑性（Spike-timing-

dependent-plasticity，STDP）、脉冲数量依赖可塑性（Spike-numbering-dependent-

plasticity，SNDP）和脉冲速率依赖可塑性（Spike-rating-dependent-plasticity，SRDP）

等多种突触可塑性。该突触晶体管还成功地模拟了包括学习-遗忘-再学习、巴甫洛

夫实验以及摩尔斯电码“QINGDAO”几个突触关键功能。此外该突触晶体管在手

势和数字识别应用的正确率都超过了90%，即使加入不同程度的高斯噪声，它也能

保持在84%以上。

（2）制备了液态电解质LiClO/PEO栅控的InO晶体管。该器件实现了包括

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EPSC、PPF、抑制性突触后电流（Inhibitorypostsynapticcurrents，IPSC）和双脉冲

抑制（Paired-pulsedepression，PPD）等兴奋和抑制模式的突触可塑性。此外，该

器件成功地模拟了包括加减法运算、盲文模拟以及疼痛敏化和去敏化反应等高级神

经突触应用。探究了其在High，Middle和Low模式下的电导变化，并研究了三种

模式下对手写数字和文件夹类型数据集的识别精度有差距的原因，验证了器件可以

作为多级存储器。该突触器件对交通信号和数字图像的识别率均超过了90%。

关键词：人工突触晶体管；固态电解质；液态电解质；神经形态计算；突触可塑

性

Researchonartificialsynapsesbasedonelectrolyte-gatedInO

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transistors

Abstract

Inrece