TCASAS 037-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法.pdfVIP

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS037—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）栅极电荷测试方法

Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxidesemiconductorfield

effecttransistors（SiCMOSFET）

2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

中国标准出版社出版

T/CASAS037—2024

目次

前言……………………………Ⅲ

引言……………………………Ⅳ

1范围…………………………1

2规范性引用文件……………1

3术语和定义…………………1

4测试原理……………………3

4.1栅极电荷测试基本原理………………3

4.2感性负载（双脉冲）电路测试原理……………………4

4.3阻性负载（单脉冲）电路测试原理……………………5

5测试条件……………………6

6测试流程……………………6

6.1感性负载（双脉冲）测试流程…………6

6.2阻性负载（单脉冲）测试流程…………6

7测试数据处理………………7

7.1感性负载（双脉冲）测试数据处理……………………7

7.2阻性负载（单脉冲）测试数据处理……………………8

8测试报告……………………8

附录A（资料性）SiCMOSFET器件栅极电荷测试记录表………………10

参考文献………………………11

Ⅰ

T/CASAS037—2024

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟提出并归口。

本文件起草单位：东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、北京华峰

测控技术股份有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、浙江大学、西安交通大学、智新半导体有限公司、苏

州汇川联合动力系统股份有限公司