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低噪声放大器晶体管高频等效电路LNA的性能指标 LNA的分析设计

低噪声放大器的特点位于接收机的最前端01噪声越小越好，且要求有适当的稳定的增益02接收的信号很微弱且变化03属于小信号线性放大器，线性范围大，自动增益控制04与天线或滤波器相连接05要有良好的匹配特性06具有一定的选频功能07有效抑制带外干扰和镜像频率干扰08

对晶体管的描述方法网络参数模型模型中的每个参数均对应一定的物理意义，与工作点有关适用的频率范围较宽，适用于交流小信号输入把晶体管视为一个双端口黑盒子，分析其端口参数线性网络可以用端口参数来描述其特性，如H参数、Y参数等适用于特定频率、线性参数，在射频与微波波段，多用S参数物理等效电路模型

添加标题添加标题添加标题添加标题添加标题印刷电路(PCB)混合微波集成电路(HMIC)单片微波集成电路(MMIC)在印刷电路中，元器件是被焊接到印刷板上，印刷板作为连线和支撑媒质。这种电路成本低，多数应用于3GHz以下。根据制造工艺，RF/MW有源电路可以分为：

混合MIC由分布参数电路元件和集总电路元件混合而成。混合MIC电路尺寸较PCB小，并可工作至毫米波频率。

MMIC中的所有有源和无源电路元件及其互连是在一块半导体绝缘基片上形成的。目前生产的MMIC多数工作于0.5～100GHz的频段。单片集成技术特别适用于毫米波应用。MMIC的优点是成本低、尺寸小、可批量生产。

低噪声放大器的指标0.5mmGaAsFET0.8mmSiBipolar电源电压(V)3.01.9电源电流(mA)4.02.0频率(GHz)1.91.9噪声系数NF(dB)2.82.8增益(dB)18.19.5IIP3(dBm)-11.1-3InputVSWR1.51.2OutputVSWR3.11.4隔离(dB)2121低噪放（LNA）——高频、小信号、线性、选频放大教材表给出了两个不同工艺的低噪声放大器的指标。

分析这些指标，主要有：低功耗工作频率噪声系数增益增益控制输入阻抗匹配线性范围隔离度与稳定性——采用低电源电压，低偏置电流——与特征频率有关——用网络的等效噪声源方法进行分析——要适中——根据接收信号的强弱自动控制增益——功率匹配，噪声匹配——三阶互调截点、1dB压缩点——本振泄露

低噪声放大器的指标分析添加标题低功耗添加标题——移动通信的必然要求添加标题低电源电压添加标题小的静态电流——跨导添加标题工作频率添加标题——取决于晶体管的特征频率添加标题与工作点有关添加标题取决于半导体工艺

噪声系数线性网络：共射极单管双极型晶体管：单管共源MOS管（若仅考虑沟道噪声）：

增益增益大可降低后级对系统噪声系数的影响后级易产生非线性失真增益取决于跨导——由工作点决定负载控制方法：放大器工作点、负反馈量、回路Q值增益控制LC谐振回路——Q值、谐振阻抗集中参数选频滤波器——注意阻抗匹配

输入阻抗匹配匹配方式：共源(共射)方式共栅(共基)方式输入阻抗1/gm较小，改变偏置就可以改变gm，达到匹配。单击此处添加正文，文字是您思想的提炼，请尽量言简意赅地阐述观点。类型：纯电阻——宽带，有耗，噪声大输入阻抗大，并联所需电阻即可达到匹配。但会增加噪声。纯电抗——窄带，无耗，噪声小

添加标题电阻负反馈方式添加标题电感负反馈方式添加标题电阻串并联负反馈方式以达到阻抗匹配的目的。适用于宽带放大，但功耗大，且需要集成较多的电阻，不适合CMOS技术。添加标题源(射)极采用电感负反馈，与输入电容调谐后实现匹配，适用于窄带放大，有较好的噪声性能。

线性范围隔离度与稳定性取决于器件、电路结构、阻抗变换网络正向传输——压控电流源反向传输——极间电容引起不稳定的原因改进措施：中和法——用中和电容抵消失配法——采用共射共基（共源共栅）组态降低增益

(a)加中和电容输出点+输出点-输入CN的一端接输出，一端接输入，由它引入的反馈来抵消晶体管内部反馈电容Cb’c引起的反馈。(b)采用共发共基(共源共栅)结构利用共基放大器输入电阻很小的特点，作为共发放大器的负载电阻，可以大大拓展共发放大器的上限频率，同时又具备很好的电流、电压增益。

晶体管高频等效电路射频集成电路主要工艺砷化钾GaAs双极Bipolar（一种化合半导体材料）具有最高的工作频率：50~100GHz；在超高速微电子学和光电子学中应用广泛纯双极、BiCMOS和SiGeHBT（异质结）三种双极工艺器件的截止频率：工艺技术截止频率(GHZ)Bipolar25–50BiCMOS10–20SiGeHBT40-80

双极晶体管较之CMOS晶体管的优点：CMOS噪声低、线性好、与数字集成电路兼容，工作频率3GHz以上在相同的偏置电流下跨导大有