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射频VDMOS器件结构：原理、应用与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域中，射频技术的发展日新月异，从移动通信、卫星通信到雷达、物联网等众多应用场景，都离不开射频器件的支持。射频VDMOS（VerticalDouble-diffusedMOS，垂直双扩散金属氧化物半导体）器件作为一种重要的功率半导体器件，因其具备高开关速度、低导通电阻、良好的热稳定性以及高输入阻抗等优势，在射频功率放大、开关电源、电机驱动等关键领域发挥着不可或缺的作用。

在移动通信领域，随着5G甚至未来6G技术的推进，对基站和移动终端的射频性能提出了更高要求。射频VDMOS器件用于基