GaN纳米线：制备工艺、场发射特性及应用前景的深度剖析.docx

GaN纳米线：制备工艺、场发射特性及应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，从第一代以硅（Si）为代表的半导体材料，到第二代以砷化镓（GaAs）为代表的化合物半导体材料，再到如今备受瞩目的第三代半导体材料，每一次的变革都极大地推动了电子信息技术的进步。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其一系列卓越的性能，在现代半导体领域中占据了极为重要的地位。

GaN具有宽禁带特性，其室温下的禁带宽度高达3.4eV，相较于硅（1.12eV）和砷化镓（1.43eV）等传统半导体材料，这一特性使得GaN在高温、高频、高功率应用场景下具备独特优势。