电荷耦合器件的基本结构.pptxVIP

6.2.1CCD的电极结构：CCD中电荷的存贮和传输是通过改变各电极上所加电压实现的。按照加在电极上的脉冲电压相数来分，电极的结构可分为二相、三相、四相等结构形式。三相电阻海结构二相硅-铝交叠栅结构

四电极结构：

定向转移的实现一位CCD中含的电容个数即为CCD的相数。每相电极连接的电容个数一般来说即为CCD的位数。在CCD的MOS阵列上划分成以几个相邻MOS电荷为一单元的无限循环结构。每一单元称为一位，将每—位中对应位置上的电容栅极分别连到各自共同电极上，此共同电极称相线。

定向转移的实现通常CCD有二相、三相、四相等几种结构，它们所施加的时钟脉冲也分别为二相、三相、四相。φ1φ2当这种时序脉冲加到CCD的无限循环结构上时，将实现信号电荷的定向转移。

t2-t3时刻，Φ1电压线性减小，1电极下势阱变浅，Φ2为高电平，2电极下形成深势阱，信号电荷从1电极向2电极转移，直到t3时刻，信号电荷全部转到2电极下。重复上述过程，信息电荷从2电极转移到3电极，到t5时刻，信号电荷全部转移到3电极下。经过一个时钟周期，信号电荷包向右转移一级，t6时刻信号电荷全部转移4电极下。依次类推，信号电荷依次由1，2，3，4…..N向右转移直至输出移位寄存器

三相CCD中电荷包的转移过程：MOS上三个相邻电极，每隔两个所有电极接在一起。由3个相位差120°时钟脉冲驱动。t1时刻，Φ1为高电平，Φ2Φ3为低电平，1电极下形成深势阱，储存电荷形成电荷包

右图:三相时钟驱动的CCD结构和时钟脉冲。由图可见，在信号电荷包运行的前方总有一个较深的势阱处于等待状态，于是电荷包便可沿着势阱的移动方向向前连续运动。此外，还有一种(如两相时钟驱动)是利用电极不对称方法来实现势阱分布不对称，促使电荷包向前运动。势阱中电荷的容量由势阱的深浅决定，电荷在势阱中存储的时间，必须远小于势阱的热弛豫时间，所以CCD是在非平衡状态工作的一种功能器件。信号转移部分由一串紧密排列的MOS电容器构成，根据电荷总是要向最小位能方向移动的原理工作的。信号电荷转移时，只要转移前方电极上的电压高，电极下的势阱深，电荷就会不断的向前运动。

转移和存储信号电荷的势阱都在硅与氧化硅的界面处，电荷速度与转移效率低，主要原因为客观表面态迁移率的影响。即在硅与氧化硅表面有Na、K杂质离子，表面态上的离子可以接收电子，也可以发射电子，当电子至后续电荷包转移时，表面态发射电子的速度慢，导致电子跟不上信号电荷的转移速度，造成信号电荷的损失，所以转移效率降低，转移速度不能提高。SCCD(表面CCD）6.2.2转移信道的结构

BCCD（埋沟CCD）基底为P型，在硅表面注入杂质，使之形成N型薄层，在N型两端做上N+层，起源极与漏极的作用。在N－P之间加反偏电压，使形成体内耗尽层，当与氧化层耗尽层相连通时，形成势阱。当电子向势阱中聚焦时，耗尽层宽度减小，同样可以存储和转移电荷，如果施以栅极电压，势能曲线下降，P区耗尽层加宽，势能曲线下降，势阱加深，可以通过控制栅极达到电荷耦合。

BCCD中传递信息是电子是N层中的多子，SCCD是P层中的少子1BCCD转移电荷损失比SCCD小1－2个数量级，具有更好的转移效率。3BCCD最大的优点是低噪声，主要原因是它消除了信号电子与表面态的相互作用。5SCCD中的信息电荷集中在界面处很薄的反型层中，而BCCD的信息电荷集中在体内。2BCCD转移速度高。4BCCD与SCCD的区别果电极间距较大，势阱的形状会发生弯曲，会使信号电荷露出，或使外电荷漏入，为了克服这一现象，在横向上，对势阱的范围进行限制，方法是形成一个高势能的位垒，将沟道与沟道之间隔开。主要的方法：加屏蔽电场氧化层台阶法沟阻扩散法6.3.3通道的横向限制

01在屏蔽电极上加与栅极极性相反的电压，从而形成感应电场，以吸收多子，造成多子在耗尽层内横向边界上的堆积，以限制耗尽层区的横向扩展。1.加屏蔽电场02使耗尽层以外的氧化层加厚，保证它下面的半导体不会深耗尽，以起限制作用，氧化层越厚，则位能越浅。2.氧化层台阶法03在同一栅极下，局部掺杂浓度不同，表面势不同，掺杂浓度越高，势阱越低，采用离子注入技术，使转移电极沿衬底浓度高于别处，形成P+层，而且浓度变化要很陡峭，从而可以有力的限制沟道的宽度。3.沟阻扩散法

6.2.4电荷的输入结构在滤波、延迟线和存储器应用情况摄像应用式中：η为材料的量子效率；q为电子电荷量；Neo为入射光的光子流速率；A为光敏单元的受光面积；tc为光的注入时间。CCD工作过程分三部分:信号输入、电荷转移和信号输出部分。Qin=ηqNeoAtc光注入：正面和背面光照式输入部分的作用是将信号电荷引入到CCD的第一个转移栅下的势阱中。引入的方式有两种：光注入